DATA SHEET
HD3SS3212-Q1 双通道差分 2:1/1:2 USB3.2 多路复用器/多路信号分离器
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 2：–40°C 至 +105°C，TA
- 提供面向支持第 1 代和第 2 代 USB 3.2 数据速率的 USB Type-C™ 生态系统的多路复用器/多路信号分离器解决方案
- 与 MIPI DSI/CSI、FPD-Link III、LVDS 以及 PCIe 第 II 代、第 III 代兼容
- 运行速率高达 10Gbps
- -3dB 差动带宽宽达 8GHz 以上
- 出色的动态特性（5GHz 时）
- 串扰 = –28dB
- 关断隔离 = –19dB
- 插入损耗 = –2dB
- 回损 = –8dB
- 双向“多路复用器/多路信号分离器”差分开关
- 支持 0V 至 2V 的共模电压
- 3.3V 的单电源电压 VCC
- 采用汽车友好型 QFN 封装
（2.5mm x 4.5mm，间距为 0.5mm）
2 应用
- USB Type-C™ 生态系统
- 汽车媒体接口
- 音响主机
- 后座娱乐系统
- FPD-Link II 和 FPD-Link III 开关
- MIPI DSI/CSI-2 开关
3 说明
HD3SS3212-Q1 是一款采用多路复用器或多路信号分离器配置的高速双向无源开关。它适用于支持 USB 3.2 第 1 代和第 2 代数据速率的 USB Type-C™ 应用。SEL 控制引脚可在两个差动通道（端口 B 到端口 A 或端口 C 到端口 A）之间切换。
HD3SS3212-Q1 是一款通用的模拟差动无源开关。该器件适用于任何要求 0V 至 2V 共模电压范围和差动振幅高达 1800mVpp 的差动信号的高速接口应用。自适应跟踪功能可确保通道在整个共模电压范围内保持不变。
该器件的出色动态特性允许进行高速开关，使信号眼图具有最小的衰减，并且不会明显增加抖动。它在运行时消耗的功率低于 1.65mW。OEn 引脚具有关断模式，从而可实现低于 0.02µW 的功耗。
器件信息(1)
| 器件型号 | 封装 | 封装尺寸（标称值） |
|---|---|---|
| HD3SS3212-Q1 | VQFN (20) | 2.50mm × 4.50mm ×
0.5mm 间距 |
- 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
Device Images
空格
简化原理图
5 Pin Configuration and Functions
RKS Package
20-Pin VQFN
Top View
Pin Functions
| PIN | TYPE(1) | DESCRIPTION | |
|---|---|---|---|
| NAME | NO. | ||
| VCC | 6 | P | 3.3-V power |
| OEn | 2 | I | Active-low chip enable
L: Normal operation H: Shutdown |
| A0p | 3 | I/O | Port A, channel 0, high-speed positive signal |
| A0n | 4 | I/O | Port A, channel 0, high-speed negative signal |
| GND | 5, 11, 20 | G | Ground |
| A1p | 7 | I/O | Port A, channel 1, high-speed positive signal |
| A1n | 8 | I/O | Port A, channel 1, high-speed negative signal |
| SEL | 9 | I | Port select pin.
L: Port A to Port B H: Port A to Port C |
| C1n | 12 | I/O | Port C, channel 1, high-speed negative signal (connector side) |
| C1p | 13 | I/O | Port C, channel 1, high-speed positive signal (connector side) |
| C0n | 14 | I/O | Port C, channel 0, high-speed negative signal (connector side) |
| C0p | 15 | I/O | Port C, channel 0, high-speed positive signal (connector side) |
| B1n | 16 | I/O | Port B, channel 1, high-speed negative signal (connector side) |
| B1p | 17 | I/O | Port B, channel 1, high-speed positive signal (connector side) |
| B0n | 18 | I/O | Port B, channel 0, high-speed negative signal (connector side) |
| B0p | 19 | I/O | Port B, channel 0, high-speed positive signal (connector side) |
| NC1 | 1 | NA | Can be left not connected or can be fed to VCC or tied to GND. |
| NC2 | 10 | NA | |
(1) The high-speed data ports incorporate 20-kΩ pulldown resistors that are switched in when a port is not selected and switched out when the port is selected.
6 Specifications
6.1 Absolute Maximum Ratings
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)(1)| MIN | MAX | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|---|
| VCC | Supply voltage | –0.5 | 4 | V | |
| Voltage | Differential I/O | –0.5 | 2.5 | V | |
| Control pins | –0.5 | VCC+ 0.5 | |||
| Tstg | Storage temperature | –65 | 150 | °C | |
(1) Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. Theseare stress ratings only, which do not imply functional operation of the device at these or anyother conditions beyond those indicated under Recommended OperatingConditions. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods mayaffect device reliability.
6.2 ESD Ratings
| VALUE | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | Electrostatic discharge | Human-body model (HBM), per AEC Q100-002(1)
HBM ESD Classification Level 2 |
±2000 | V |
| Charged-device model (CDM), per AEC Q100- 011
CDM ESD Classification Level C6 |
±500 | |||
(1) AEC Q100-002 indicates that HBM stressing shall be in accordance with the ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 specification.
