ZHCSHB2B January   2018  – December 2024 DRV5056-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 磁特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通量方向
      2. 6.3.2 磁响应
      3. 6.3.3 灵敏度线性度
      4. 6.3.4 比例式架构
      5. 6.3.5 工作 VCC 范围
      6. 6.3.6 磁体的灵敏度温度补偿
      7. 6.3.7 上电时间
      8. 6.3.8 霍尔元件位置
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 选择灵敏度选项
      2. 7.1.2 磁体的温度补偿
      3. 7.1.3 添加一个低通滤波器
      4. 7.1.4 断线检测设计
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳系统实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.3.1 磁通量方向

如图 6-1 所示，DRV5056-Q1 对垂直于封装内芯片的磁场分量很敏感。

DRV5056-Q1 灵敏度方向图 6-1 灵敏度方向

从封装底部到顶部的磁通为正。当南磁极靠近封装顶部（标记侧）时，就会出现这种情况。从封装顶部到底部的磁通量会产生负毫特斯拉值。

DRV5056-Q1 正 B 的磁通方向图 6-2 正 B 的磁通方向