• Menu
  • Product
  • Email
  • PDF
  • Order now

  • UCC21520-Q1 4A、6A、5.7kVRMS 汽车级隔离式双通道栅极驱动器

    • ZHCSGY8E October   2017  – June 2024 UCC21520-Q1

      PRODUCTION DATA  

  • CONTENTS
  • SEARCH
  • UCC21520-Q1 4A、6A、5.7kVRMS 汽车级隔离式双通道栅极驱动器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级（汽车类）
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全限值
    8. 5.8  电气特性
    9. 5.9  时序要求
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和脉宽失真度
    2. 6.2 上升至下降时间
    3. 6.3 输入和禁用响应时间
    4. 6.4 可编程死区时间
    5. 6.5 上电 UVLO 到输出延迟
    6. 6.6 CMTI 测试
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 VDD、VCCI 和欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.3.2 输入和输出逻辑表
      3. 7.3.3 输入级
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 UCC21520-Q1 中的二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 禁用引脚
      2. 7.4.2 可编程死区时间 (DT) 引脚
        1. 7.4.2.1 将 DT 引脚连接到 VCC
        2. 7.4.2.2 DT 引脚连接至 DT 和 GND 引脚之间的编程电阻器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 设计 INA/INB 输入滤波器
        2. 8.2.2.2 选择外部自举二极管及其串联电阻
        3. 8.2.2.3 栅极驱动器输出电阻器
        4. 8.2.2.4 栅极至源极电阻器选择
        5. 8.2.2.5 估算栅极驱动器功率损耗
        6. 8.2.2.6 估算结温
        7. 8.2.2.7 选择 VCCI、VDDA/B 电容器
          1. 8.2.2.7.1 选择 VCCI 电容器
          2. 8.2.2.7.2 选择 VDDA（自举）电容器
          3. 8.2.2.7.3 选择 VDDB 电容器
        8. 8.2.2.8 死区时间设置指南
        9. 8.2.2.9 具有输出级负偏置的应用电路
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 认证
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 支持资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
  15. 重要声明
search No matches found.
  • Full reading width
    • Full reading width
    • Comfortable reading width
    • Expanded reading width
  • Card for each section
  • Card with all content

 

Data Sheet

UCC21520-Q1 4A、6A、5.7kVRMS 汽车级隔离式双通道栅极驱动器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
  • 功能安全质量管理型
    • 可提供用于功能安全系统设计的文档
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 20ns 最小脉冲宽度
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 10kV
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围，可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证

2 应用

  • HEV 和 BEV 电池充电器
  • 直流/直流和交流/直流电源中的隔离式转换器
  • 不间断电源 (UPS)

3 说明

UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围，该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性，UCC21520-Q1 能够实现高效率、高电源密度和稳健性。

器件比较
器件型号封装(1)UVLO 电平
UCC21520-Q1DW（SOIC，16）8V
UCC21520A-Q1DW（SOIC，16）5V
(1) 有关所有可用封装，请参阅节 13。
UCC21520-Q1 功能方框图功能方框图

4 引脚配置和功能

UCC21520-Q1 DW 封装16 引脚 SOIC顶视图图 4-1 DW 封装16 引脚 SOIC顶视图
表 4-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
DISABLE 5 I 设置为高电平时可同时禁用两个驱动器输出，而设置为低电平或保持开路时可启用输出。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。连接到远距离微控制器时，可靠近 DIS 引脚放置约 1nF 的低 ESR/ESL 电容器进行旁路。
DT 6 I 可编程的死区时间功能。
将 DT 连接到 VCCI 允许输出重叠。在 DT 和 GND 之间放置一个 2kΩ 至 500kΩ 的电阻器 (RDT) 可根据以下公式调整死区时间：DT (ns) = 10 × RDT (kΩ)。建议在 DT 引脚附近将一个 <1nF 的陶瓷电容器与 RDT 并联，以实现更好的抗噪性能。不建议将 DT 引脚悬空。
GND 4 P 初级侧地基准。初级侧的所有信号都以该地为基准。
INA 1 I A 通道的输入信号。INA 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。
INB 2 I B 通道的输入信号。INB 输入具有兼容 TTL/CMOS 的输入阈值。该引脚在保持开路时在内部被拉至低电平。为了实现更好的抗噪性能，如果不使用该引脚，则建议将其接地。
NC 7 – 无内部连接。
NC 12 – 无内部连接。
NC 13 – 无内部连接。
OUTA 15 O 驱动器 A 的输出。连接到 A 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
OUTB 10 O 驱动器 B 的输出。连接到 B 通道 FET 或 IGBT 的栅极。
VCCI 3 P 初级侧电源电压。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 GND）。
VCCI 8 P 初级侧电源电压。此引脚在内部短接至引脚 3。
VDDA 16 P 驱动器 A 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSA）。
VDDB 11 P 驱动器 B 的次级侧电源。使用尽可能靠近器件的低 ESR/ESL 电容器在本地进行去耦（连接至 VSSB）。
VSSA 14 P 次级侧驱动器 A 接地。次级侧 A 通道的接地参考。
VSSB 9 P 次级侧驱动器 B 接地。次级侧 B 通道的接地参考。
(1) P = 电源，G = 地，I = 输入，O = 输出

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
输入偏置引脚电源电压 VCCI 至 GND -0.3 20 V
驱动器辅助电源 VDDA-VSSA、VDDB-VSSB -0.3 30 V
输出信号电压 OUTA 至 VSSA、OUTB 至 VSSB -0.3 VDDA/B + 0.3 V
OUTA 至 VSSA、OUTB 至 VSSB、200ns 瞬态 -2 VDDA/B + 0.3 V
输入信号电压 INA、INB、DIS、DT 至 GND -0.3 VCCI + 0.3 V
50ns INA、INB 瞬态 -5 VCCI + 0.3 V
结温，TJ(2) -40 150 ℃
贮存温度，Tstg -65 150 ℃
(1) 超出绝对最大额定值 下列出的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力等级，并不意味着器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 要保持 TJ 的建议运行条件，请参阅 6.4 一节。

5.2 ESD 等级（汽车类）

值 单位
V(ESD)          静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 AEC Q100-002 标准(1) ±2000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 AEC Q100-011 标准 ±1000
(1) AEC Q100-002 指示应当按照 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执行 HBM 应力测试。

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 最大值 单位
VCCI VCCI 输入电源电压 3 18 V
VDDA、VDDB 驱动器输出辅助电源 UCC21520A 5V UVLO 版本 6.5 25 V
VDDA、VDDB 驱动器输出辅助电源 UCC21520 8V UVLO 版本 9.2 25 V
TJ 结温 -40 150 ℃

5.4 热性能信息

热指标(1) UCC21520-Q1 单位
DW-16 (SOIC)
RθJA 结至环境热阻 69.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 33.1 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 36.9 °C/W
ΨJT 结至顶部（中心）特征参数 22.2 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 36 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。

5.5 功率等级

参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
PD 最大功耗（两侧） VCCI = 5V，VDDA/VDDB = 20V，INA/B = 3.3V，460kHz 50% 占空比方波，CL=2.2nF，TJ=150℃，TA=25℃ 950 mW
PDI 最大功耗（发送器侧） 50 mW
PDA、PDB 最大功耗（每个驱动器侧） 450 mW

5.6 绝缘规格

参数 测试条件 规格 单位
一般信息
CLR 外部间隙(1) 端子间的最短空间距离 >8 mm
CPG 外部爬电距离(1) 端子间的最短封装表面距离 >8 mm
DTI 绝缘穿透距离 最小内部间隙 >17 µm
CTI 相对漏电起痕指数 DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112 > 600 V
材料组 符合 IEC 60664-1 I
过压类别（符合 IEC 60664-1） 额定市电电压 ≤ 600VRMS I-IV
额定市电电压 ≤ 1000VRMS I-III
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (2)
VIORM 最大重复峰值隔离电压 交流电压（双极） 2121 VPK
VIOWM 最大隔离工作电压 交流电压（正弦波）；时间依赖型电介质击穿 (TDDB) 测试 1500 VRMS
直流电压 2121 VDC
VIMP 最大脉冲电压 在空气中进行测试，符合 IEC 62368-1 的 1.2/50µs 波形 7692 VPK
VIOTM 最大瞬态隔离电压 VTEST = VIOTM，t = 60s（鉴定测试）；
VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生产测试）		 8000 VPK
VIOSM 最大浪涌隔离电压(3) VIOSM ≥ 1.3 x VIMP；在油中测试（鉴定测试），1.2/50µs 波形，符合 IEC 62368-1 10000 VPK
qpd 视在电荷(4) 方法 a：I/O 安全测试子组 2/3 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s ≤5 pC
方法 a：环境测试子组 1 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.6 × VIORM，tm = 10s ≤5
方法 b1：常规测试（100% 生产测试）和预处理（类型测试），Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s；Vpd(m) = 1.875 × VIORM，tm = 1s ≤5
CIO 势垒电容，输入至输出(5) VIO = 0.4 × sin (2πft)，f = 1MHz 约 1.2 pF
RIO 隔离电阻，输入至输出(5) VIO = 500V，TA = 25°C >1012 Ω
VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C >1011
VIO = 500V，TS = 150°C >109
污染等级 2
气候类别 40/125/21
UL 1577
VISO 可承受的隔离电压 VTEST = VISO = 5700VRMS，t = 60s（鉴定测试）；VTEST = 1.2 × VISO = 6840VRMS，t = 1s（100% 生产测试） 5700 VRMS
(1) 爬电距离和间隙应满足应用的特定设备隔离标准中的要求。请注意保持电路板设计的爬电距离和间隙，从而确保印刷电路板上隔离器的安装焊盘不会导致此距离缩短。在特定的情况下，印刷电路板上的爬电距离和间隙变得相等。在印刷电路板上插入坡口或肋或同时应用这两项技术可帮助提高这些规格。
(2) 此耦合器仅适用于安全额定值范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全等级。
(3) 在空气或油中执行测试，以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(4) 视在电荷是局部放电 (pd) 引起的电气放电。
(5) 将隔离层每一侧的所有引脚都连在一起，构成一个双引脚器件。

5.7 安全限值

参数 测试条件 侧 最小值 典型值 最大值 单位
IS 安全输出电源电流 RθJA = 69.8°C/W，VDDA/B = 15V，TJ = 150°C，TA = 25°C 驱动器 A、驱动器 B 58 mA
RθJA = 69.8°C/W，VDDA/B = 25V，TJ = 150°C，TA = 25°C 34
PS 安全电源 RθJA = 69.8°C/W，TJ = 150°C，TA = 25°C 输入 50 mW
驱动器 A 870
驱动器 B 870
总计 1790
TS 最高安全温度(1) 150 °C
(1) 最高安全温度 TS 与器件指定的最大结温 TJ 的值相同。IS 和 PS 参数分别表示安全电流和安全功率。请勿超出 IS 和 PS 的最大限值。这些限值随环境温度 TA 的变化而变化。“热性能信息”表中的结至空气热阻 RqJA 所属器件安装在引线式表面贴装封装对应的高 K 测试板上。可以使用这些公式计算每个参数的值：TJ = TA + RqJA × P，其中 P 为器件中耗散的功率。TJ(max) = TS = TA + RqJA × PS，其中 TJ(max) 为允许的最大结温。PS = IS × VI，其中 VI 为最大输入电源电压。

5.8 电气特性

除非另有说明，否则 VVCCI = 3.3V 或 5V，从 VCCI 至 GND 的 0.1µF 电容器，VVDDA = VVDDB = 15V，从 VDDA 和 VDDB 至 VSSA 和 VSSB 的 1µF 电容器，TA = –40°C 至 +150°C。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流
IVCCI VCCI 静态电流 VINA = 0V，VINB = 0V 1.4 2.0 mA
IVDDA、IVDDB VDDA 和 VDDB 静态电流 VINA = 0V，VINB = 0V 1.0 2.5 mA
IVCCI VCCI 工作电流 (f = 500kHz) 每通道电流 3 3.5 mA
IVDDA、IVDDB VDDA 和 VDDB 工作电流 (f = 500kHz) 每通道电流，COUT = 100pF 2.5 4.2 mA
VCC 电源电压欠压阈值
VVCCI_ON UVLO 上升阈值 2.55 2.7 2.85 V
VVCCI_OFF UVLO 下降阈值 2.35 2.5 2.65 V
VVCCI_HYS UVLO 阈值迟滞 0.2 V
VDD 电源电压欠压阈值
VVDDA_ON、VVDDB_ON UVLO 上升阈值 5V UVLO 5.7 6.0 6.3 V
VVDDA_OFF、VVDDB_OFF UVLO 下降阈值 5V UVLO 5.4 5.7 6.0 V
VVDDA_HYS、VVDDB_HYS UVLO 阈值迟滞 5V UVLO 0.3 V
VVDDA_ON、VVDDB_ON UVLO 上升阈值 8V UVLO 7.7 8.5 8.9 V
VVDDA_OFF、VVDDB_OFF UVLO 下降阈值 8V UVLO 7.2 7.9 8.4 V
VVDDA_HYS、VVDDB_HYS UVLO 阈值迟滞 8V UVLO 0.6 V
INA、INB 和 ENABLE
VINAH、VINBH、VENH 输入高电平阈值电压 1.2 1.8 2 V
VINAL、VINBL、VENL 输入低电平阈值电压 0.8 1 1.2 V
VINA_HYS、VINB_HYS、VEN_HYS 输入阈值迟滞 0.8 V
VINA、VINB 负瞬态，参考 GND，100ns 脉冲 未经量产测试，仅进行了基准测试 -5 V
输出
IOA+、IOB+ 峰值输出拉电流 CVDD = 10µF，CLOAD = 0.18µF，f = 1kHz，台架测量 4 A
IOA-、IOB- 峰值输出灌电流 CVDD = 10µF，CLOAD = 0.18µF，f = 1kHz，台架测量 6 A
ROHA、ROHB 高电平状态时的输出电阻 IOUT = –10mA，TA = 25°C，ROHA、ROHB 并不表示驱动上拉性能。详细信息，请参阅节 5.10 和节 7.3.4 中的 tRISE。 5 Ω
ROLA、ROLB 低电平状态时的输出电阻 IOUT = 10mA；TA = 25°C 0.55 Ω
VOHA、VOHB 高电平状态时的输出电压 VVDDA、VVDDB = 15V，IOUT = –10mA，TA = 25°C 14.95 V
VOLA、VOLB 低电平状态时的输出电压 VVDDA、VVDDB = 15V，IOUT = 10mA，TA = 25°C 5.5 mV

5.9 时序要求

死区时间和重叠编程 最小值 标称值 最大值 单位
DT DT 引脚连接至 VCCI 由 INA、INB 确定的重叠 由 INA、INB 确定的重叠 由 INA、INB 确定的重叠 ns
DT 死区时间，RDT = 10kΩ 80 100 120 ns
DT 死区时间，RDT = 20 kΩ 160 200 240 ns
DT 死区时间，RDT = 50 kΩ 400 500 600 ns

5.10 开关特性

VVCCI = 3.3V 或 5V，从 VCCI 到 GND 的 0.1µF 电容器，VVDDA = VVDDB = 12V，从 VDDA 和 VDDB 到 VSSA 和 VSSB 的 1µF 电容器，负载电容 COUT = 0pF，TAJ = –40°C 至 +150°C。（除非另有说明，否则在建议运行条件下）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tRISE 输出上升时间，20% 至 80% 测量点 COUT = 1.8nF 6 16 ns
tFALL 输出下降时间，90% 至 10% 测量点 COUT = 1.8nF 7 12 ns
tPWmin 最小脉宽 低于最小值时输出关闭，COUT = 0pF 20 ns
tPDHL 从 INx 至 OUTx 下降沿的传播延迟 26 33 45 ns
tPDLH 从 INx 至 OUTx 上升沿的传播延迟 26 33 45 ns
tPWD  脉宽失真 |tPDLH – tPDHL| 6 ns
tDM 双通道驱动器的传播延迟匹配 输入脉宽 = 100ns，500kHz，TJ = -40°C 至 -10°C
|tPDLHA – tPDLHB|，|tPDHLA – tPDHLB|		 6.5 ns
tDM 双通道驱动器的传播延迟匹配 输入脉宽 = 100ns，500kHz，TJ = -10°C 至 +150°C
|tPDLHA – tPDLHB|，|tPDHLA – tPDHLB|		 5 ns
tVCCI+ to OUT VCCI 上电延迟时间：UVLO 上升至 OUTA、OUTB INA 或 INB 连接到 VCCI 50 μs
tVDD+ to OUT VDDA。VDDB 上电延迟时间：UVLO 上升至 OUTA、OUTB INA 或 INB 连接到 VCCI 10 μs
|CMH| 高电平共模瞬态抗扰度（请参阅节 6.6） GND 与 VSSA/B 的压摆率，INA 和 INB 都连接至 GND 或 VCCI；VCM = 1500V 125 V/ns
|CML| 低电平共模瞬态抗扰度（请参阅节 6.6） GND 与 VSSA/B 的压摆率，INA 和 INB 都连接至 GND 或 VCCI；VCM = 1500V 125 V/ns

5.11 绝缘特性曲线

UCC21520-Q1 增强型隔离电容器寿命预测
图 5-1 增强型隔离电容器寿命预测
UCC21520-Q1 安全相关限制电流的热降额曲线（两个通道同时运行时每个通道的电流）
图 5-2 安全相关限制电流的热降额曲线（两个通道同时运行时每个通道的电流）
UCC21520-Q1 安全相关限制功率的热降额曲线
图 5-3 安全相关限制功率的热降额曲线

5.12 典型特性

VDDA = VDDB = 15V，VCCI = 3.3V，TA = 25°C，无负载（除非另有说明）。

UCC21520-Q1 每通道电流消耗与频率之间的关系（无负载，VDD = 15V 或 25V）
图 5-4 每通道电流消耗与频率之间的关系（无负载，VDD = 15V 或 25V）
UCC21520-Q1 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率之间的关系（10nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
图 5-6 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率之间的关系（10nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
UCC21520-Q1 每通道 (IVDDA/B) 静态电源电流与温度之间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
图 5-8 每通道 (IVDDA/B) 静态电源电流与温度之间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
UCC21520-Q1 上升和下降时间与负载间的关系 (VDD = 15V)
A.
图 5-10 上升和下降时间与负载间的关系 (VDD = 15V)
UCC21520-Q1 传播延迟与温度间的关系
图 5-12 传播延迟与温度间的关系
UCC21520-Q1 脉宽失真度与温度之间的关系
A.
图 5-14 脉宽失真度与温度之间的关系
UCC21520-Q1 传播延迟匹配 (tDM) 与温度之间的关系
图 5-16 传播延迟匹配 (tDM) 与温度之间的关系
UCC21520-Q1 VDD 5V UVLO 阈值与温度之间的关系
图 5-18 VDD 5V UVLO 阈值与温度之间的关系
UCC21520-Q1 VDD 8V UVLO 阈值与温度之间的关系
图 5-20 VDD 8V UVLO 阈值与温度之间的关系
UCC21520-Q1 IN/DIS 低阈值
图 5-22 IN/DIS 低阈值
UCC21520-Q1 死区时间与温度之间的关系（RDT = 20kΩ 和 100kΩ）
图 5-24 死区时间与温度之间的关系（RDT = 20kΩ 和 100kΩ）
UCC21520-Q1 典型输出波形
图 5-26 典型输出波形
UCC21520-Q1 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率之间的关系（1nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
图 5-5 每通道电流消耗 (IVDDA/B) 与频率之间的关系（1nF 负载，VDD = 15V 或 25V）
UCC21520-Q1 每通道 (IVDDA/B) 电源电流与温度间的关系（无负载，不同的开关频率）
图 5-7 每通道 (IVDDA/B) 电源电流与温度间的关系（无负载，不同的开关频率）
UCC21520-Q1 IVCCI 静态电源电流与温度之间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
A.
图 5-9 IVCCI 静态电源电流与温度之间的关系（无负载，低电平输入，无开关）
UCC21520-Q1 输出电阻与温度之间的关系
图 5-11 输出电阻与温度之间的关系
UCC21520-Q1 传播延迟与 VCCI 之间的关系
图 5-13 传播延迟与 VCCI 之间的关系
UCC21520-Q1 传播延迟匹配 (tDM) 与 VDD 之间的关系
图 5-15 传播延迟匹配 (tDM) 与 VDD 之间的关系
UCC21520-Q1 VDD 5V UVLO 迟滞与温度之间的关系
图 5-17 VDD 5V UVLO 迟滞与温度之间的关系
UCC21520-Q1 VDD 8V UVLO 迟滞与温度之间的关系
图 5-19 VDD 8V UVLO 迟滞与温度之间的关系
UCC21520-Q1 IN/DIS 迟滞与温度之间的关系
图 5-21 IN/DIS 迟滞与温度之间的关系
UCC21520-Q1 IN/DIS 高阈值
图 5-23 IN/DIS 高阈值
UCC21520-Q1 死区时间匹配与温度之间的关系（RDT = 20kΩ 和 100kΩ）
图 5-25 死区时间匹配与温度之间的关系（RDT = 20kΩ 和 100kΩ）

 
Texas Instruments

© Copyright 1995-2025 Texas Instruments Incorporated. All rights reserved.
Submit documentation feedback | IMPORTANT NOTICE | Trademarks | Privacy policy | Cookie policy | Terms of use | Terms of sale