ZHCSFX7C November   2016  – June 2024 CSD18510KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 接收文档更新通知
    2. 5.2 支持资源
    3. 5.3 Trademarks
    4. 5.4 静电放电警告
    5. 5.5 术语表
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 说明

这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD18510KTT
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 40 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 119 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 21 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 2.0 mΩ
VGS = 10V 1.4
VGS(th) 阈值电压 1.7 V
器件信息(1)
器件数量介质封装运输
CSD18510KTT50013 英寸卷带D2PAK
塑料封装		卷带包装
CSD18510KTTT50
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压40V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流（受封装限制）200A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得274
持续漏极电流（受器件限制），TC = 100°C 时测得193
IDM脉冲漏极电流(1)400A
PD功率耗散250W
TJ、
Tstg		工作结温，
贮存温度		-55 至 175°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 81A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		328mJ
(1) 最大 RθJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
CSD18510KTT RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD18510KTT 栅极电荷栅极电荷