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  • CSD19538Q2 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

    • ZHCSF65B July   2016  – March 2024 CSD19538Q2

      PRODUCTION DATA  

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  • CSD19538Q2 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4.   说明
  5. 3Specifications
    1. 3.1 Electrical Characteristics
    2. 3.2 Thermal Information
    3. 3.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 4Device and Documentation Support
    1. 4.1 第三方产品免责声明
    2. 4.2 接收文档更新通知
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 Trademarks
    5. 4.5 静电放电警告
    6. 4.6 术语表
  7. 5Revision History
  8. 6Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  9. 重要声明
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Data Sheet

CSD19538Q2 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • SON 2mm × 2mm 塑料封装

2 应用

  • 以太网供电 (PoE)
  • 电源设备 (PSE)
  • 电机控制

摘要

这款 100V 49mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19538Q2 顶视图图 3-1 顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 4.3 nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极) 0.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 58 mΩ
VGS = 10V 49
VGS(th) 阈值电压 3.2 V
器件信息(1)
器件数量介质封装运输
CSD19538Q230007 英寸卷带无引线小外形尺寸 (SON)
2.00mm x 2.00mm
塑料封装
卷带包装
CSD19538Q2T250
CSD19538Q2R 10,000 13 英寸卷带
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压100V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流(受封装限制)14.4A
持续漏极电流(受器件限制),TC = 25°C 时测得13.1
持续漏极电流(1)4.6
IDM脉冲漏极电流(2)34.4A
PD功率耗散(1)2.5W
功率耗散,TC = 25°C20.2
TJ、
Tstg
工作结温,
贮存温度
-55 至 150°C
EAS雪崩能量,单脉冲
ID = 12.6A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
8mJ
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸、2oz. 铜焊盘上的 RθJA = 50°C/W(典型值)。
(2) 最大 RθJC = 6.2°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。
CSD19538Q2 RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19538Q2 栅极电荷栅极电荷

3 Specifications

3.1 Electrical Characteristics

TA = 25°C (unless otherwise stated)
PARAMETERTEST CONDITIONSMINTYPMAXUNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSSDrain-to-source voltageVGS = 0V, ID = 250μA100V
IDSSDrain-to-source leakage currentVGS = 0V, VDS = 80V1μA
IGSSGate-to-source leakage currentVDS = 0V, VGS = 20V100nA
VGS(th)Gate-to-source threshold voltageVDS = VGS, ID = 250μA2.83.23.8V
RDS(on)Drain-to-source on resistanceVGS = 6V, ID = 5A5872mΩ
VGS = 10V, ID = 5A4959
gfsTransconductanceVDS = 10V, ID = 5A19S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CissInput capacitanceVGS = 0V, VDS = 50V, ƒ = 1MHz349454pF
CossOutput capacitance6990pF
CrssReverse transfer capacitance12.616.4pF
RGSeries gate resistance4.69.2Ω
QgGate charge total (10V)VDS = 50V, ID = 5A4.35.6nC
QgdGate charge gate-to-drain0.8nC
QgsGate charge gate-to-source1.6nC
Qg(th)Gate charge at Vth1.0nC
QossOutput chargeVDS = 50V, VGS = 0V12.3nC
td(on)Turnon delay timeVDS = 50V, VGS = 10V,
IDS = 5A, RG = 0Ω
5ns
trRise time3ns
td(off)Turnoff delay time7ns
tfFall time2ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSDDiode forward voltageISD = 5A, VGS = 0V0.851.0V
QrrReverse recovery chargeVDS= 50V, IF = 5A,
di/dt = 300A/μs
94nC
trrReverse recovery time32ns

3.2 Thermal Information

TA = 25°C (unless otherwise stated)
THERMAL METRICMINTYPMAXUNIT
RθJCJunction-to-case thermal resistance(1)6.2°C/W
RθJAJunction-to-ambient thermal resistance(1)(2)65°C/W
(1) RθJC is determined with the device mounted on a 1in2 (6.45cm2), 2oz (0.071mm) thick Cu pad on a 1.5in × 1.5in (3.81cm × 3.81cm), 0.06in (1.52mm) thick FR4 PCB. RθJC is specified by design, whereas RθJA is determined by the user’s board design.
(2) Device mounted on FR4 material with 1in2 (6.45cm2), 2oz (0.071mm) thick Cu.

CSD19538Q2
Max RθJA = 65°C/W when mounted on 1in2 (6.45cm2) of 2oz (0.071mm) thick Cu.
CSD19538Q2
Max RθJA = 250°C/W when mounted on a minimum pad area of 2oz (0.071mm) thick Cu.

3.3 Typical MOSFET Characteristics

TA = 25°C (unless otherwise stated)

CSD19538Q2 Transient Thermal Impedance
Figure 3-1 Transient Thermal Impedance
CSD19538Q2 Saturation Characteristics
Figure 3-2 Saturation Characteristics
CSD19538Q2 Gate Charge
ID = 5AVDS = 50V
Figure 3-4 Gate Charge
CSD19538Q2 Threshold Voltage vs Temperature
ID = 250µA
Figure 3-6 Threshold Voltage vs Temperature
CSD19538Q2 Normalized On-State Resistance vs Temperature
ID = 5A
Figure 3-8 Normalized On-State Resistance vs Temperature
CSD19538Q2 Maximum Safe Operating Area
Single pulse, max RθJC = 6.2°C/W
Figure 3-10 Maximum Safe Operating Area
CSD19538Q2 Maximum Drain Current vs Temperature
Figure 3-12 Maximum Drain Current vs Temperature
CSD19538Q2 Transfer Characteristics
VDS = 5V
Figure 3-3 Transfer Characteristics
CSD19538Q2 Capacitance
Figure 3-5 Capacitance
CSD19538Q2 On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
Figure 3-7 On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
CSD19538Q2 Typical Diode Forward Voltage
Figure 3-9 Typical Diode Forward Voltage
CSD19538Q2 Single Pulse Unclamped Inductive Switching
Figure 3-11 Single Pulse Unclamped Inductive Switching

4 Device and Documentation Support

4.1 第三方产品免责声明

TI 发布的与第三方产品或服务有关的信息,不能构成与此类产品或服务或保修的适用性有关的认可,不能构成此类产品或服务单独或与任何 TI 产品或服务一起的表示或认可。

4.2 接收文档更新通知

要接收文档更新通知,请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击通知 进行注册,即可每周接收产品信息更改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。

4.3 支持资源

TI E2E™ 中文支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家处获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解答或提出自己的问题,获得所需的快速设计帮助。

链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅 TI 的使用条款。

4.4 Trademarks

NexFET™ and TI E2E™ are trademarks of Texas Instruments.

All trademarks are the property of their respective owners.

4.5 静电放电警告

CSD19538Q2 静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序,可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级,大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏,这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

4.6 术语表

    TI 术语表 本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。

5 Revision History

Changes from Revision A (January 2017) to Revision B (March 2024)

  • 通篇更新了表格、图和交叉参考的编号格式Go

Changes from Revision * (July 2016) to Revision A (January 2017)

  • 将图 3-2曲线中的测试电压 VDS 从 100V 更改为 50VGo
  • Changed test voltage VDS from 100V : to 50V in Figure 3-4 Go

6 Mechanical, Packaging, and Orderable Information

The following pages include mechanical, packaging, and orderable information. This information is the most current data available for the designated devices. This data is subject to change without notice and revision of this document. For browser-based versions of this data sheet, refer to the left-hand navigation.

重要声明和免责声明

TI 均以“原样”提供技术性及可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,不保证其中不含任何瑕疵,且不做任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。

所述资源可供专业开发人员应用TI 产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任:(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品;(2) 设计、验证并测试您的应用;(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更,恕不另行通知。TI 对您使用所述资源的授权仅限于开发资源所涉及TI 产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源,也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等,TI对此概不负责,并且您须赔偿由此对TI 及其代表造成的损害。

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