CSD19538Q2 100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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1 特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 2mm × 2mm 塑料封装
2 应用
- 以太网供电 (PoE)
- 电源设备 (PSE)
- 电机控制
摘要
这款 100V 49mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
图 3-1 顶视图| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 4.3 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.8 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 58 | mΩ |
| VGS = 10V | 49 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 3.2 | V | |
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19538Q2 | 3000 | 7 英寸卷带 | 无引线小外形尺寸 (SON) 2.00mm x 2.00mm 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD19538Q2T | 250 | |||
| CSD19538Q2R | 10,000 | 13 英寸卷带 |
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 14.4 | A |
| 持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 | 13.1 | ||
| 持续漏极电流(1) | 4.6 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 34.4 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.5 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 20.2 | ||
| TJ、 Tstg | 工作结温， 贮存温度 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 12.6A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 8 | mJ |
 RDS(on) 与 VGS 之间的关系 |
 栅极电荷 |
3 Specifications
3.1 Electrical Characteristics
| PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STATIC CHARACTERISTICS | |||||||
| BVDSS | Drain-to-source voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 100 | V | |||
| IDSS | Drain-to-source leakage current | VGS = 0V, VDS = 80V | 1 | μA | |||
| IGSS | Gate-to-source leakage current | VDS = 0V, VGS = 20V | 100 | nA | |||
| VGS(th) | Gate-to-source threshold voltage | VDS = VGS, ID = 250μA | 2.8 | 3.2 | 3.8 | V | |
| RDS(on) | Drain-to-source on resistance | VGS = 6V, ID = 5A | 58 | 72 | mΩ | ||
| VGS = 10V, ID = 5A | 49 | 59 | |||||
| gfs | Transconductance | VDS = 10V, ID = 5A | 19 | S | |||
| DYNAMIC CHARACTERISTICS | |||||||
| Ciss | Input capacitance | VGS = 0V, VDS = 50V, ƒ = 1MHz | 349 | 454 | pF | ||
| Coss | Output capacitance | 69 | 90 | pF | |||
| Crss | Reverse transfer capacitance | 12.6 | 16.4 | pF | |||
| RG | Series gate resistance | 4.6 | 9.2 | Ω | |||
| Qg | Gate charge total (10V) | VDS = 50V, ID = 5A | 4.3 | 5.6 | nC | ||
| Qgd | Gate charge gate-to-drain | 0.8 | nC | ||||
| Qgs | Gate charge gate-to-source | 1.6 | nC | ||||
| Qg(th) | Gate charge at Vth | 1.0 | nC | ||||
| Qoss | Output charge | VDS = 50V, VGS = 0V | 12.3 | nC | |||
| td(on) | Turnon delay time | VDS =
50V, VGS = 10V, IDS = 5A, RG = 0Ω | 5 | ns | |||
| tr | Rise time | 3 | ns | ||||
| td(off) | Turnoff delay time | 7 | ns | ||||
| tf | Fall time | 2 | ns | ||||
| DIODE CHARACTERISTICS | |||||||
| VSD | Diode forward voltage | ISD = 5A, VGS = 0V | 0.85 | 1.0 | V | ||
| Qrr | Reverse recovery charge | VDS=
50V, IF = 5A, di/dt = 300A/μs | 94 | nC | |||
| trr | Reverse recovery time | 32 | ns | ||||
3.2 Thermal Information
| THERMAL METRIC | MIN | TYP | MAX | UNIT | |
|---|---|---|---|---|---|
| RθJC | Junction-to-case thermal resistance(1) | 6.2 | °C/W | ||
| RθJA | Junction-to-ambient thermal resistance(1)(2) | 65 | °C/W | ||
| Max RθJA = 65°C/W when mounted on 1in2 (6.45cm2) of 2oz (0.071mm) thick Cu. | 
| Max RθJA = 250°C/W when mounted on a minimum pad area of 2oz (0.071mm) thick Cu. |
3.3 Typical MOSFET Characteristics
TA = 25°C (unless otherwise stated)
| ID = 5A | VDS = 50V | ||
| ID = 250µA | ||
| ID = 5A | ||
| Single pulse, max RθJC = 6.2°C/W | |||
| VDS = 5V | ||
4 Device and Documentation Support
4.1 第三方产品免责声明
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4.2 接收文档更新通知
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4.3 支持资源
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4.4 Trademarks
NexFET™ and TI E2E™ are trademarks of Texas Instruments.
All trademarks are the property of their respective owners.
4.5 静电放电警告
 |
静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。 |
| ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。 |
4.6 术语表
-
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
5 Revision History
Changes from Revision A (January 2017) to Revision B (March 2024)
- 通篇更新了表格、图和交叉参考的编号格式Go
Changes from Revision * (July 2016) to Revision A (January 2017)
- 将图 3-2曲线中的测试电压 VDS 从 100V 更改为 50VGo
- Changed test voltage VDS from 100V : to 50V in Figure 3-4 Go
6 Mechanical, Packaging, and Orderable Information
The following pages include mechanical, packaging, and orderable information. This information is the most current data available for the designated devices. This data is subject to change without notice and revision of this document. For browser-based versions of this data sheet, refer to the left-hand navigation.
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