ZHCSES4A March   2016  – June 2025 CSD19506KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4.   说明
  5. 3规格
    1. 3.1 电气特性
    2. 3.2 热性能信息
    3. 3.3 典型 MOSFET 特性
  6. 4器件和文档支持
    1. 4.1 第三方产品免责声明
    2. 4.2 文档支持
      1. 4.2.1 相关文档
    3. 4.3 接收文档更新通知
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
    6. 4.6 静电放电警告
    7. 4.7 术语表
  7. 5修订历史记录
  8. 6机械、封装和可订购信息

摘要

这款 80V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19506KTT
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 80 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 120 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 20 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 2.2 mΩ
VGS = 10V 2.0 mΩ
VGS(th) 阈值电压 2.5 V
订购信息(1)
器件数量介质封装运输
CSD19506KTT50013 英寸卷带D2PAK 塑料封装卷带包装
CSD19506KTTT50
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压80V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流（受封装限制）200A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得291
持续漏极电流（受器件限制），TC = 100°C 时测得206
IDM脉冲漏极电流(1)400A
PD功率耗散375W
TJ、
Tstg		工作结温和
贮存温度范围		-55 至 175°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 129A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		832mJ
(1) 最大 RθJC = 0.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
CSD19506KTT RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19506KTT 栅极电荷栅极电荷