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  • LMT86 2.2V SC70/TO-92/TO-92S 模拟温度传感器

    • ZHCSCH1F March   2013  – May 2024 LMT86

      PRODUCTION DATA  

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  • LMT86 2.2V SC70/TO-92/TO-92S 模拟温度传感器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 精度特性
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 典型特征
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 LMT86 传递函数
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 安装和导热性
      2. 7.4.2 输出噪声注意事项
      3. 7.4.3 电容负载
      4. 7.4.4 输出电压漂移
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 连接至 ADC
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 在关断状态下降低功率损耗
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
  15. 重要声明
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Data Sheet

LMT86 2.2V SC70/TO-92/TO-92S
模拟温度传感器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

下载最新的英语版本

1 特性

  • LMT86LPG(TO-92S 封装)具有快速热时间常量,典型值为 10s(气流速度为 1.2m/s)
  • 非常精确的结果:典型值 ±0.4°C
  • 2.2V 低压运行
  • -10.9mV/°C 的平均传感器增益
  • 5.4µA 低静态电流
  • 宽温度范围:-50°C 至 150°C
  • 输出受到短路保护
  • 具有 ±50µA 驱动能力的推挽输出
  • 封装与业界通用 LM20/19 和 LM35 温度传感器兼容
  • 具有成本效益的热敏电阻替代产品

2 应用

  • 信息娱乐系统与仪表组
  • 动力总成系统
  • 烟雾和热量探测器
  • 无人机
  • 电器

3 说明

LMT86 是精密的 CMOS 温度传感器,典型精度为 ±0.4°C(上限值为 ±2.7°C),线性模拟输出电压与温度成反比。2.2V 工作电源电压、5.4μA 静态电流和 0.7ms 上电时间可实现高效下电上电,从而更大程度降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。LMT86LPG 穿孔 TO-92S 封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,比如烟雾和热量探测器。LMT86 在宽工作范围内具有高精度,再加上其他特性,因而成为出色的热敏电阻替代品。

对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件,了解 LMT8x 系列的替代器件。

器件信息(1)
器件型号封装本体尺寸(标称值)
LMT86SOT (5)2.00mm × 1.25mm
TO-92 (3)4.30mm × 3.50mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
LMT86 热时间常量
* 快速热响应 NTC
热时间常量
LMT86 输出电压与温度间的关系输出电压与温度间的关系

4 器件比较

表 4-1 可用器件封装
订货编号(1) 封装 引脚 封装尺寸(标称值) 安装类型
LMT86DCK SOT(也称为(2):SC70、DCK) 5 2.00mm × 1.25mm 表面贴装
LMT86LP TO-92(也称为(2):LP) 3 4.30mm × 3.50mm 穿孔;直引线
LMT86LPG TO-92S(也称为(2):LPG) 3 4.00mm × 3.15mm 穿孔;直引线
LMT86LPM TO-92(也称为(2):LPM) 3 4.30mm × 3.50mm 穿孔;成型引线
LMT86DCK-Q1 SOT(也称为(2):SC70、DCK) 5 2.00mm × 1.25mm 表面贴装
(1) 如需了解所有可用封装和全部订单编号,请参阅数据表末尾的封装选项附录。
(2) AKA = Also Known As(也称为)
表 4-2 类似替代器件
器件名称 平均输出传感器增益 电源电压范围
LMT84 -5.5 mV/°C 1.5V 至 5.5V
LMT85 -8.2 mV/°C 1.8V 至 5.5V
LMT86 -10.9 mV/°C 2.2V 至 5.5V
LMT87 -13.6 mV/°C 2.7V 至 5.5V

5 引脚配置和功能

LMT86 5 引脚 SOT (SC70)DCK 封装(顶视图)图 5-1 5 引脚 SOT (SC70)DCK 封装(顶视图)
LMT86 LP 封装3 引脚 TO-92(顶视图)图 5-3 LP 封装3 引脚 TO-92(顶视图)
LMT86 LPG 封装3 引脚 TO-92S(顶视图)图 5-2 LPG 封装3 引脚 TO-92S(顶视图)
LMT86 LPM 封装3 引脚 TO-92(顶视图)图 5-4 LPM 封装3 引脚 TO-92(顶视图)
表 5-1 引脚功能
引脚 类型 说明
名称 SOT (SC70) TO-92 TO-92S 等效电路 功能
GND 1、2(1) 3 2 接地 不适用 电源接地
OUT 3 2 1 模拟
输出
LMT86 输出与温度成反比的电压
VDD 4,5 1 3 电源 不适用 正电源电压
(1) 直接连接至芯片背面

6 规格

6.1 绝对最大额定值

请参阅 (1)(2)
最小值 最大值 单位
电源电压 -0.3 6 V
输出引脚处电压 -0.3 (VDD + 0.5) V
输出电流 -7 7 mA
任何引脚处的输入电流(3) -5 5 mA
最大结温 (TJMAX) 150 °C
贮存温度,Tstg -65 150 °C
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值,这并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间运行在最大绝对额定条件下会影响器件的可靠性
(2) 焊接工艺必须符合 TI 的回流温度曲线规格。请参阅 www.ti.com/packaging。无铅和非无铅封装的回流温度曲线不同。
(3) 如果任何引脚处的输入电压 (VI) 超过电源(VI < GND 或 VI > V),则该引脚处的电流不应超过 5mA。

6.2 ESD 等级

值 单位
采用 TO-92 封装的 LMT86LP
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)(2) ±2500 V
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(3) ±1000
采用 SC70 封装的 LMT86DCK
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM),符合 JESD22-A114 标准(2) ±2500 V
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(3) ±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出:500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) 人体放电模型是一个经 1.5kΩ 电阻对各引脚放电的 100pF 电容器。
(3) JEDEC 文档 JEP157 指出:250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

6.3 建议运行条件

最小值 最大值 单位
额定温度 TMIN ≤ TA ≤ TMAX  °C
−50 ≤ TA ≤ 150 °C
电源电压 (VDD) 2.2 5.5 V

6.4 热性能信息

热指标(1)(2)LMT86LMT86LPLMT86LPG单位
DCK (SOT/SC70)LP/LPM (TO-92)LPG (TO-92S)
5 引脚3 引脚3 引脚
RθJA结至环境热阻(3)(4)275167130.4°C/W
RθJC(top)结至外壳(顶部)热阻849064.2°C/W
RθJB结至电路板热阻56146106.2°C/W
ψJT结至顶部特征参数1.23514.6°C/W
ψJB结至电路板特征参数55146106.2°C/W
(1) 有关自发热和热响应时间的信息,请参阅安装和导热性 一节。
(2) 有关传统和新热指标的更多信息,请参阅 IC 封装热指标 应用报告。
(3) 在 JESD51-2 描述的环境中,按照 JESD51-7 的规定,在一个符合 JEDEC 标准的 High-K 电路板上进行仿真,获得自然对流条件下的结至环境热阻抗 (RθJA)。根据 JESD 51-5,假设暴露焊盘封装的散热孔包含在 PCB 中。
(4) 由自发热引起的输出变化可以通过内部耗散乘以热阻来计算。

6.5 精度特性

这些限值不包括直流负载调节。这些规定精度限值参考表 7-1 中的值。
参数条件最小值(1)典型值(2)最大值(1)单位
温度精度(3)40°C 至 150°C;VDD = 2.2V 至 5.5V–2.7±0.42.7°C
0°C 至 40°C;VDD = 2.4V 至 5.5V–2.7±0.72.7°C
0°C 至 70°C;VDD = 3.0V 至 5.5V±0.3°C
-50°C 至 0°C;VDD = 3.0V 至 5.5V–2.7±0.72.7°C
-50°C 至 0°C;VDD = 3.6V 至 5.5V±0.25°C
(1) 这些限值特定于 TI 的 AOQL(平均出厂质量水平)。
(2) TJ = TA = 25°C 时为典型值,表示最可能的参数标准。
(3) 精度定义为测量输出电压与基准输出电压之间的误差,如指定电源增益设置、电压和温度条件下的传输表中所示(以 °C 表示)。精度限值包括指定条件下的线路调节。精度限值不包括负载调节;它们假设没有直流负载。

6.6 电气特性

除非另有说明,否则这些规格适用于 +VDD = 2.2V 至 5.5V。除非另有说明,最小和最大限值适用于 TA = TJ = TMIN 至 TMAX;典型值适用于 TA = TJ = 25°C。
参数测试条件最小值(1)典型值(2)最大值(1)单位
平均传感器增益(输出传递函数斜率)–30°C 和 90°C 用于计算平均传感器增益-10.9mV/°C
负载调节(3)拉电流 ≤ 50μA,(VDD – VOUT) ≥ 200mV-1-0.22mV
灌电流 ≤ 50μA,VOUT ≥ 200mV0.261mV
线路调节(4)200μV/V
IS电源电流TA = 30°C 至 150°C,(VDD – VOUT) ≥ 100mV5.48.1μA
TA = –50°C 至 150°C,(VDD – VOUT) ≥ 100mV5.49μA
CL输出负载电容1100pF
开通时间(5)CL = 0pF 至 1100pF0.71.9ms
输出驱动TA = TJ = 25°C-5050µA
(1) 这些限值特定于 TI 的 AOQL(平均出厂质量水平)。
(2) TJ = TA = 25°C 时为典型值,表示最可能的参数标准。
(3) 拉电流流出 LMT86。灌电流流入 LMT86。
(4) 从最低电源电压时的输出电压中减去最高电源电压时的输出电压,可计算出线路调节 (DC)。典型直流线路调节规格不含输出电压漂移 中讨论的输出电压漂移。
(5) 取决于具体的设计和特性。

6.7 典型特征

LMT86 温度误差与温度间的关系图 6-1 温度误差与温度间的关系
LMT86 电源电流与温度间的关系图 6-3 电源电流与温度间的关系
LMT86 负载调节,拉电流图 6-5 负载调节,拉电流
LMT86 VOUT 变化与余量电压间的关系图 6-7 VOUT 变化与余量电压间的关系
LMT86 输出电压与电源电压之间的关系图 6-9 输出电压与电源电压之间的关系
LMT86 最低工作温度与电源电压间的关系图 6-2 最低工作温度与电源电压间的关系
LMT86 电源电流与电源电压间的关系图 6-4 电源电流与电源电压间的关系
LMT86 负载调节,灌电流图 6-6 负载调节,灌电流
LMT86 电源噪声增益与频率间的关系图 6-8 电源噪声增益与频率间的关系
LMT86 LMT86LPG 热响应与 1.2m/s 气流下普通引线式热敏电阻间的关系图 6-10 LMT86LPG 热响应与 1.2m/s 气流下普通引线式热敏电阻间的关系

7 详细说明

7.1 概述

LMT86 是一款模拟输出温度传感器。温度检测元件由一个通过电流源正向偏置的简单基极发射极结组成。温度检测元件经缓冲放大器连接至 OUT 引脚。该放大器采用简易推挽输出级,从而提供一个低阻抗输出源。

7.2 功能方框图

LMT86
全范围摄氏温度传感器(-50°C 至 +150°C)

7.3 特性说明

7.4 器件功能模式

7.4.1 安装和导热性

LMT86 可像其他集成电路温度传感器一样轻松应用,可在表面粘贴或粘结。

为确保良好的导热性,LMT86 芯片的背面直接与 GND 引脚相连。连接 LMT86 其他引线的焊盘和布线的温度也会影响温度读数。

或者,可将 LMT86 安装在两端密封的金属管内,然后浸入水槽或拧入水箱的螺纹孔中。与任何 IC 相同,LMT86 及随附接线和电路必须保持处于绝缘和干燥状态,以免漏电和腐蚀。如果电路在可能发生冷凝的低温条件下运行,则尤其如此。如果水分导致输出对地或对 VDD 短路,则 LMT86 的输出也不正确。印刷电路涂层通常用于确保水分不会腐蚀引线或电路走线。

结至环境热阻(RθJA 或 θJA)是用于计算器件因其功率耗散所升高结温的参数。使用方程式 7 计算 LMT86 芯片温度的上升值:

方程式 7. LMT86

其中

  • TA 为环境温度,
  • IS 为电源电流,
  • IL 为输出端的负载电流,
  • VO 为输出电压。

例如,如果应用工况为:TA = 30°C、VDD = 5V、IS = 5.4µA、VO = 1777mV,结温为 30.014°C,自发热误差为 0.014°C。由于 LMT86 的结温为测得的实际温度,因此应尽量减小要求 LMT86 驱动的负载电流。热性能信息(1) 表显示了 LMT86 的热阻。

1. 有关自发热和热响应时间的信息,请参阅安装和导热性 一节。

7.4.2 输出噪声注意事项

推挽输出显著提高了 LMT86 灌入和拉取电流的能力。例如,在驱动模数转换器 (ADC) 上的输入级等动态负载时,这种方法颇具优势。在这些应用中,需要拉电流快速为 ADC 的输入电容器充电。LMT86 特别适合于这类及其他需要强大拉电流或灌电流的应用。

LMT86 电源噪声增益(VOUT 上的交流信号与 VDD 上的交流信号之比)在基准测试期间测量。图 6-8 展示了典型特征 一节中的典型衰减。输出端的负载电容器有助于过滤噪声。

对于嘈杂环境中的运行,应在距离 LMT86 约为 5 厘米的范围之内部署旁路电容。

7.4.3 电容负载

LMT86 能够可靠处理容性负载。在嘈杂环境中,或在 ADC 上驱动开关采样输入时,可能需要添加滤波,以便充分减少噪声耦合。在没有任何预防措施的情况下,图 7-1 展示了 LMT86 如何驱动小于或等于 1100pF 的容性负载。对于超过 1100pF 的容性负载,图 7-2 展示了如何在输出端串联电阻。

LMT86 无去耦 LMT86 适用于 1100pF 以下的容性负载图 7-1 无去耦 LMT86 适用于 1100pF 以下的容性负载
LMT86 带串联电阻的 LMT86 适用于超过 1100pF 的容性负载图 7-2 带串联电阻的 LMT86 适用于超过 1100pF 的容性负载
表 7-2 推荐串联电阻值
CLOAD最小 RS
1.1nF 至 99nF3kΩ
100nF 至 999nF1.5kΩ
1μF800 Ω

7.4.4 输出电压漂移

LMT86 器件在温度和电源电压范围内具有非常高的线性度。由于 NMOS/PMOS 轨到轨缓冲器的固有行为,当电源电压在器件的工作范围内升高时,输出可能会发生轻微漂移。漂移的位置取决于 VDD 和 VOUT 的相对电平。漂移通常在 VDD - VOUT = 1V 时发生。

产生该轻微漂移(数毫伏)的条件是 VDD 或 VOUT 发生大幅变化(约 200mV)。由于漂移发生在 5°C 至 20°C 的宽温变范围内,因此 VOUT 始终具有单调性。精度特性 表中的精度规格已包含这种可能的漂移。

8 应用和实施

注:

以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。

8.1 应用信息

LMT86 的特性使其适用于许多通用温度检测应用。它可由电压低至 2.2V 的电源供电运行,功耗为 5.4μA,是电池供电器件的理想选择。凭借包括穿孔式 TO-92 封装在内的封装选项,LMT86 可安装于电路板上、电路板外、散热器中或同一应用的多个特殊位置。

8.2 典型应用

8.2.1 连接至 ADC

LMT86 至采样模数转换器输入级的建议连接图 8-1 至采样模数转换器输入级的建议连接

 

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