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LMT86 是精密的 CMOS 温度传感器,典型精度为 ±0.4°C(上限值为 ±2.7°C),线性模拟输出电压与温度成反比。2.2V 工作电源电压、5.4μA 静态电流和 0.7ms 上电时间可实现高效下电上电,从而更大程度降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。LMT86LPG 穿孔 TO-92S 封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,比如烟雾和热量探测器。LMT86 在宽工作范围内具有高精度,再加上其他特性,因而成为出色的热敏电阻替代品。
对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件,了解 LMT8x 系列的替代器件。
器件型号 | 封装 | 本体尺寸(标称值) |
---|---|---|
LMT86 | SOT (5) | 2.00mm × 1.25mm |
TO-92 (3) | 4.30mm × 3.50mm |
订货编号(1) | 封装 | 引脚 | 封装尺寸(标称值) | 安装类型 |
---|---|---|---|---|
LMT86DCK | SOT(也称为(2):SC70、DCK) | 5 | 2.00mm × 1.25mm | 表面贴装 |
LMT86LP | TO-92(也称为(2):LP) | 3 | 4.30mm × 3.50mm | 穿孔;直引线 |
LMT86LPG | TO-92S(也称为(2):LPG) | 3 | 4.00mm × 3.15mm | 穿孔;直引线 |
LMT86LPM | TO-92(也称为(2):LPM) | 3 | 4.30mm × 3.50mm | 穿孔;成型引线 |
LMT86DCK-Q1 | SOT(也称为(2):SC70、DCK) | 5 | 2.00mm × 1.25mm | 表面贴装 |
引脚 | 类型 | 说明 | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
名称 | SOT (SC70) | TO-92 | TO-92S | 等效电路 | 功能 | |
GND | 1、2(1) | 3 | 2 | 接地 | 不适用 | 电源接地 |
OUT | 3 | 2 | 1 | 模拟 输出 |
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输出与温度成反比的电压 |
VDD | 4,5 | 1 | 3 | 电源 | 不适用 | 正电源电压 |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
电源电压 | -0.3 | 6 | V | |
输出引脚处电压 | -0.3 | (VDD + 0.5) | V | |
输出电流 | -7 | 7 | mA | |
任何引脚处的输入电流(3) | -5 | 5 | mA | |
最大结温 (TJMAX) | 150 | °C | ||
贮存温度,Tstg | -65 | 150 | °C |
值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|
采用 TO-92 封装的 LMT86LP | ||||
V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)(2) | ±2500 | V |
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(3) | ±1000 | |||
采用 SC70 封装的 LMT86DCK | ||||
V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模型 (HBM),符合 JESD22-A114 标准(2) | ±2500 | V |
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(3) | ±1000 |
最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|
额定温度 | TMIN ≤ TA ≤ TMAX | °C | |
−50 ≤ TA ≤ 150 | °C | ||
电源电压 (VDD) | 2.2 | 5.5 | V |
热指标(1)(2) | LMT86 | LMT86LP | LMT86LPG | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|
DCK (SOT/SC70) | LP/LPM (TO-92) | LPG (TO-92S) | |||
5 引脚 | 3 引脚 | 3 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻(3)(4) | 275 | 167 | 130.4 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 84 | 90 | 64.2 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 56 | 146 | 106.2 | °C/W |
ψJT | 结至顶部特征参数 | 1.2 | 35 | 14.6 | °C/W |
ψJB | 结至电路板特征参数 | 55 | 146 | 106.2 | °C/W |
参数 | 条件 | 最小值(1) | 典型值(2) | 最大值(1) | 单位 |
---|---|---|---|---|---|
温度精度(3) | 40°C 至 150°C;VDD = 2.2V 至 5.5V | –2.7 | ±0.4 | 2.7 | °C |
0°C 至 40°C;VDD = 2.4V 至 5.5V | –2.7 | ±0.7 | 2.7 | °C | |
0°C 至 70°C;VDD = 3.0V 至 5.5V | ±0.3 | °C | |||
-50°C 至 0°C;VDD = 3.0V 至 5.5V | –2.7 | ±0.7 | 2.7 | °C | |
-50°C 至 0°C;VDD = 3.6V 至 5.5V | ±0.25 | °C |
参数 | 测试条件 | 最小值(1) | 典型值(2) | 最大值(1) | 单位 | ||
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平均传感器增益(输出传递函数斜率) | –30°C 和 90°C 用于计算平均传感器增益 | -10.9 | mV/°C | ||||
负载调节(3) | 拉电流 ≤ 50μA,(VDD – VOUT) ≥ 200mV | -1 | -0.22 | mV | |||
灌电流 ≤ 50μA,VOUT ≥ 200mV | 0.26 | 1 | mV | ||||
线路调节(4) | 200 | μV/V | |||||
IS | 电源电流 | TA = 30°C 至 150°C,(VDD – VOUT) ≥ 100mV | 5.4 | 8.1 | μA | ||
TA = –50°C 至 150°C,(VDD – VOUT) ≥ 100mV | 5.4 | 9 | μA | ||||
CL | 输出负载电容 | 1100 | pF | ||||
开通时间(5) | CL = 0pF 至 1100pF | 0.7 | 1.9 | ms | |||
输出驱动 | TA = TJ = 25°C | -50 | 50 | µA |
LMT86 是一款模拟输出温度传感器。温度检测元件由一个通过电流源正向偏置的简单基极发射极结组成。温度检测元件经缓冲放大器连接至 OUT 引脚。该放大器采用简易推挽输出级,从而提供一个低阻抗输出源。
LMT86 可像其他集成电路温度传感器一样轻松应用,可在表面粘贴或粘结。
为确保良好的导热性,LMT86 芯片的背面直接与 GND 引脚相连。连接 LMT86 其他引线的焊盘和布线的温度也会影响温度读数。
或者,可将 LMT86 安装在两端密封的金属管内,然后浸入水槽或拧入水箱的螺纹孔中。与任何 IC 相同,LMT86 及随附接线和电路必须保持处于绝缘和干燥状态,以免漏电和腐蚀。如果电路在可能发生冷凝的低温条件下运行,则尤其如此。如果水分导致输出对地或对 VDD 短路,则 LMT86 的输出也不正确。印刷电路涂层通常用于确保水分不会腐蚀引线或电路走线。
结至环境热阻(RθJA 或 θJA)是用于计算器件因其功率耗散所升高结温的参数。使用方程式 7 计算 LMT86 芯片温度的上升值:
其中
例如,如果应用工况为:TA = 30°C、VDD = 5V、IS = 5.4µA、VO = 1777mV,结温为 30.014°C,自发热误差为 0.014°C。由于 LMT86 的结温为测得的实际温度,因此应尽量减小要求 LMT86 驱动的负载电流。热性能信息(1) 表显示了 LMT86 的热阻。
LMT86 器件在温度和电源电压范围内具有非常高的线性度。由于 NMOS/PMOS 轨到轨缓冲器的固有行为,当电源电压在器件的工作范围内升高时,输出可能会发生轻微漂移。漂移的位置取决于 VDD 和 VOUT 的相对电平。漂移通常在 VDD - VOUT = 1V 时发生。
产生该轻微漂移(数毫伏)的条件是 VDD 或 VOUT 发生大幅变化(约 200mV)。由于漂移发生在 5°C 至 20°C 的宽温变范围内,因此 VOUT 始终具有单调性。精度特性 表中的精度规格已包含这种可能的漂移。
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。
LMT86 的特性使其适用于许多通用温度检测应用。它可由电压低至 2.2V 的电源供电运行,功耗为 5.4μA,是电池供电器件的理想选择。凭借包括穿孔式 TO-92 封装在内的封装选项,LMT86 可安装于电路板上、电路板外、散热器中或同一应用的多个特殊位置。