ZHCSBX3C December   2013  – May 2024 CSD19506KCS

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Specifications
    1. 4.1 Electrical Characteristics
    2. 4.2 Thermal Information
    3. 4.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 第三方产品免责声明
    2. 5.2 接收文档更新通知
    3. 5.3 支持资源
    4. 5.4 Trademarks
    5. 5.5 静电放电警告
    6. 5.6 术语表
  7. 6Revision History
  8. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 说明

这款 80V、2.0mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19506KCS
CSD19506KCS
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 80 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 120 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 20 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 2.2 mΩ
VGS = 10V 2.0 mΩ
VGS(th) 阈值电压 2.5 V
订购信息
器件 封装(1) 介质 数量 运输
CSD19506KCS TO-220 塑料封装 管装 50 管装
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 80 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 150 A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得 273
持续漏极电流（受器件限制），TC = 100°C 时测得 193
IDM 脉冲漏极电流(1) 400 A
PD 功率耗散 375 W
TJ、
Tstg		 工作结温和
贮存温度范围		 -55 至 175 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 129A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 832 mJ
(1) 最大 RθJC = 0.4°C/W，脉冲持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%
CSD19506KCS RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19506KCS 栅极电荷栅极电荷