ZHCSBC8C March   2013  – May 2025 LMT90

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 LMT90 传递函数
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 全量程摄氏温度传感器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 容性负载
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
      3. 8.5.3 散热注意事项
  10. 9 器件和文档支持
    1.     相关文档
    2. 9.1 接收文档更新通知
    3. 9.2 支持资源
    4. 9.3 商标
    5. 9.4 静电放电警告
    6. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.4 热性能信息

热指标(1) LMT90 单位
DBZ (SOT-23)
3 引脚
旧芯片 新芯片
RθJA 结至环境热阻 450 240.6 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 - 144.5 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 - 72.3 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 - 28.7 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 - 71.7 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 - - °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用手册。