ZHCSBC1C July   2013  – January 2016 CSD18563Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5A 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q5A 卷带信息

3 说明

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 5.7mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET用于与 CSD18537NQ5A 控制 FET 配对并充当完整工业降压转换器芯片组解决方案的同步 FET。

俯视图
CSD18563Q5A P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 60 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 15.0 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 2.9 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 8.6 mΩ
VGS = 10V 5.7 mΩ
VGS(th) 阈值电压 2.0 V

.
订购信息(1)

器件 介质 数量 封装 发货
CSD18563Q5A 13 英寸卷带 2500 SON 5mm x 6mm
塑料封装		 卷带
CSD18563Q5AT 7 英寸卷带 250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 60 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 93
持续漏极电流(1) 15
IDM 脉冲漏极电流(2) 251 A
PD 功率耗散(1) 3.2 W
功耗，TC = 25°C 116
TJ，
Tstg 		工作结温，
储存温度 		–55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 54A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 146 mJ
  1. RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%。