ZHCAGB1 August 2026 DRV8904-Q1 , DRV8906-Q1 , DRV8908-Q1 , DRV8910-Q1 , DRV8912-Q1
问题的根因在于 HBx_OLD_DIS 与 HBx_LOLD_EN 两个寄存器位的控制层级关系:
HBx_OLD_DIS = 1b 是完全禁用该半桥的所有 OLD 检测功能,包括主动 OLD、负电流 OLD 以及低电流 LOLD。该位是 OLD 的总开关,优先级最高。
HBx_LOLD_EN = 1b 的场景为:在 OLD 总体使能(HBx_OLD_DIS = 0b)的前提下,将该半桥低侧 FET 的 OLD 阈值切换至低电流模式(IOLD_LOW),同时禁用高侧 FET 的 OLD 检测,以防止高侧 FET 因 IOLD_LOW 阈值过低而产生误报。
因此,当 HBx_OLD_DIS = 1b 时,无论 HBx_LOLD_EN 为何值,整个 OLD 功能均被关闭,LOLD 无法工作。
完整的 OLD/LOLD 控制逻辑如下表所示:
| HBx_OLD_DIS | HBx_LOLD_EN | LS FET OLD | HS FET OLD | OLD 阈值 | 故障上报 |
|---|---|---|---|---|---|
| 0b | 0b | 使能 | 使能 | IOLD(主动 OLD) | 使能 |
| 0b | 1b | 使能 | 禁用 | IOLD_LOW(LOLD) | 使能 |
| 1b | / | 禁用 | 禁用 | / | 禁用[DW1] |