在许多隔离式电源应用中,功率 MOSFET 通常采用某种形式的桥配置,用于优化电源开关和电源变压器,从而提高效率。这些桥配置创建了高侧 (HS) 和低侧 (LS) 两种开关类型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等专用 HS 和 LS 栅极驱动器 IC 可在单个 IC 中为 HS 开关管以及 LS 开关管提供输出。
相比之下,某些应用通过使用单输出栅极驱动器(例如 UCC2753x 或隔离式 UCC53xx 系列),而不是将 HS 和 LS 组合为一个半桥驱动器,也能实现巨大优势。单输出驱动器的位置可以更靠近电源开关,带来更大的布局灵活性和更少的寄生效应,从而实现出色的开关性能。
Other TMs
HS 开关管请参阅图 1-1 中的 Q1 和 Q2。这些开关具有浮动的源极连接,并且此基准上的电压在开关周期内会发生变化。Q3 和 Q4 被视为 LS 开关管,因为它们的源极基准连接到输入地,并且在开关周期内不会改变电压。当 Q1 和 Q3 同时导通或者 Q2 和 Q4 同时导通时,将为 Vout 供电。对于节 2 中的电路示例,我们将仅关注使用 Q1 和 Q3 的桥部分。
要在高功率应用中正确打开这些开关,通常需要栅极驱动 IC。要正确驱动 LS 开关管,通常非常简单,因为栅极驱动器的输出可以直接连接到开关的栅极,并且驱动器 IC 的 GND 连接到开关的源极。但是,要驱动 HS 开关管,还必须注意以下事项: