ZHCAB53B December 2020 – February 2024 DP83TG720R-Q1 , DP83TG720S-Q1
2.1 原理图
MDI、基准时钟和电源网络的原理图和正确的元件对于 1000BT1 PHY 的性能至关重要。本节显示了 OA TC12 测试期间使用的建议原理图和元件值。
图 2-1 电源网络：适用于具有睡眠模式要求的应用
图 2-2 电源网络：适用于不具有睡眠模式要求的应用
图 2-3 MDI 和晶体原理图表 2-1 参数、元件和值
| 参数/元件 | 值 |
|---|---|
| VDDIO | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| 去耦电容器 VDDIO（引脚 34） | 10nF、100nF |
| 去耦电容器 VDDIO（引脚 22） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDIO 的组合铁氧体磁珠 | BLM18HE102SN1 |
| VDDA | 3.3 V |
| 去耦电容器 VDDA（引脚 11） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDDA 的铁氧体磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| VDD1p0 | 1V 或 1.05V（用于处理 IR 压降） |
| 去耦电容器 VDD1P0（引脚 9） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 去耦电容器 VDDA（引脚 21） | 10nF、100nF、2.2uF |
| 用于 VDD1P0 的组合铁氧体磁珠 | BLM18KG601SH1 |
| Vsleep | 3.3 V |
| 直流阻断电容器（1% 精度，100V） | 0.1μF |
| 共模扼流圈 |
Murata：DLW32MH101XT2 |
| 共模端接电阻器（1% 精度，0.75W，尺寸：2010） | 1 kΩ |
| MDI 耦合电容器 | 4.7nF |
| ESD 分流器（5% 精度，0.125W，尺寸：0805 | 100 kΩ |
| 隔离电阻器 1（0.25W，尺寸：1206） | 0 Ω |
| 隔离电阻器 2（0.25W，尺寸：1206） | 0 Ω |
| 隔离电容 | 未组装 |
| R_XI | 100 Ω |
| R_XO | 晶体瓦数规格所需的最小值 |