ZHCA166B October 2005 – February 2022 LM2743
在使用直流电源设置基准电压 (VREF) 时，请将电容器 (C20) 从 VDCS 连接到 GND 以对直流电源进行滤波。起始容值宜为 10µF，但可能需要更改，具体取决于直流电源噪声的幅度（只要电容保持在工作温度范围内，任何品牌的电容器都可用）。移除 R10 并在指示符 R12 处连接一根 0Ω 跳线。
为 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）有源终端设计提供了指示符 R12 和 R13。将指示符 R12 和 R13 用作分压器，以将 VREF 设置为 DDR 电源电压的一半。移除电阻器 R7 和 R10 以及电容器 C21，并将 DDR 电源电压轨连接到端子 VDCS。请参阅图 4-2。图 4-1 中经过修改的电路可以灌入或拉取超过 3A 的电流。图 5-1 提供了应用于图 4-2 输出的负载瞬态响应。
演示板 VCC 引脚上的电压不要超过 5.6V。电路板布局同时连接着 LM4140-1.0（引脚 2）的输入电压和 LM2744 (VCC) 的控制部分。LM2744 控制部分的最大直流电源电压为 6V，而 LM4140 任何输入引脚的最大额定电压为 5.6V。如果设计要求 LM2744 控制部分的电压为 6V，则可以在指示符位置 (D3) 放置一个分流齐纳基准，以将 LM4140 的输入电压保持在 1.8V 至 5.5V 之间。齐纳二极管的阴极连接到 LM4140 的输入，阳极连接到 GND。必须适当选择 R10 的电阻，以向齐纳二极管和 LM4140 提供适量的偏置电流（请参阅 LM2744 具有外部基准的低电压 N 沟道 MOSFET 同步降压稳压器控制器数据表中的电气特性表）。