KOKT133A April 2023 – February 2025 TPS7H5001-SP , TPS7H5002-SP , TPS7H5003-SP , TPS7H5004-SP , TPS7H5005-SEP , TPS7H5006-SEP , TPS7H5007-SEP , TPS7H5008-SEP , TPS7H6003-SP

위성 산업에서는 로컬 데이터 처리의 급증, 고처리량 통신 링크에 대한 지원, 전기 추진 시스템의 빠른 도입이 고성능 전력 시스템(EPS)에 대한 수요를 주도하고 있습니다. EPS는 위성의 버스 섹션의 일부로, 전원, 열 관리, 통신 및 추진과 같은 구조적 지원과 하우징 하위 시스템을 제공합니다. EPS는 위성의 다른 모든 하위 시스템과 페이로드로 전력을 생성, 저장, 조정 및 분배합니다.
우주 미션의 고유한 과제와 제약으로 인해 SWaP(크기, 무게 및 전력) 최적화가 필요합니다. SWaP가 위성 설계에 매우 중요한 이유 중 몇 가지는 다음과 같습니다.
전력은 위성에서 가장 귀중한 자원 중 하나이기 때문에 EPS 효율을 극대화하면 미션 수명을 연장하고, 질량과 부피를 줄이고, 열 관리 오버헤드를 최소화하는 데 도움이 될 수 있습니다.
효율성을 달성하는 것 외에도, EPS는 전원 공급 장치 토폴로지 수로 인해 광범위한 전압 및 전류를 처리해야 합니다. 그림 1에는 가장 일반적인 토폴로지가 나와 있습니다.
그림 1 위성 전력 아키텍처의 일반적인 전원 공급 장치 토폴로지그림 2에 나와 있는 일반적인 위성 EPS의 부품과 기능은 다음과 같습니다.
그림 2 일반적인 위성 EPS설계자는 PWM(펄스 폭 변조) 컨트롤러를 게이트 드라이버 및 실리콘 MOSFET 또는 GaN FET와 결합하여 위성 시스템의 SWaP 설계 문제를 해결할 수 있습니다. 이 접근 방식을 통해 EPS 시스템의 여러 부품을 위해 최적화된 전원 공급 장치를 개발할 수 있습니다.
EPS를 개발할 때 설계자는 위성의 전체 EPS 전력 트리에 걸쳐 확장되는 다양한 전압 및 전류 수준 방사선 강화 하프 브리지 GaN FET 게이트 드라이버 중에서 선택할 수 있습니다. 사용 가능한 장치로는 TPS7H6003-SP(200V), TPS7H6013-SP(60V), TPS7H6023-SP(22V)(100 krad TID, 75 MeV⋅cm2/mg SEL 내성) 및 방사능 내성 TPS7H6005-SEP(200V), TPS7H6015-SEP(60V), TPS7H6025-SEP(22V)(50 krad TID, 43 MeV⋅cm2/mg SEL 내성)가 있습니다. 이러한 게이트 드라이버는 여러 전원 공급 토폴로지 및 입력 형식을 지원하여 설계 유연성을 제공합니다.
또한 설계자는 다양한 전원 공급 장치 구현을 지원하도록 설계된 방사능 강화 TPS7H5001-SP 및 방사능 내성 TPS7H5005-SEP PWM 컨트롤러와 같은 PWM 컨트롤러를 사용할 수도 있습니다.
TI는 다양한 전원 공급 장치 회로에서 우주 등급 PWM 컨트롤러 및 GaN FET 게이트 드라이버를 사용하는 엔지니어가 EPS뿐만 아니라 선별된 페이로드 애플리케이션에서도 사용할 수 있도록 다음과 같은 레퍼런스 설계를 개발했습니다.
전력은 위성에서 가장 가치 있는 리소스 중 하나이므로 EPS 아키텍처는 전체 설계에 상당한 영향을 미칠 수 있습니다. TI의 방사능 검증 PWM 컨트롤러 제품군은 높은 효율을 제공하고 광범위한 토폴로지와 다양한 미션 및 궤도를 위해 배포할 수 있는 아키텍처를 지원합니다.
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