ZHCSPX8C January 2000 – January 2026 XTR115 , XTR116
PRODUCTION DATA
8.1.6 电路稳定性
对于任何 XTR11x 设计，都必须评估 4mA 至 20mA 控制环路的稳定性。对于大多数应用，建议在 V+ 和 IO 之间使用 10nF 去耦电容器。由于该电容从稳定性的角度而言与负载电阻 RLOAD 并联，因此电容器和电阻器将形成一个滤波器转角，可限制系统的带宽。因此，对于 HART 应用，请改用 2nF 至 3nF 的旁路电容。
对于存在 EMI 和 EMC 问题的应用，请使用具有足够低 ESR 的旁路电容器将 VLOOP 电源的任何纹波电压去耦。否则，纹波电压会耦合到 4mA 至 20mA 电流源上，并在电流转换至电压后作为 RLOAD 上的噪声出现。
此外，在驱动容性负载时，VREF 基准缓冲器存在稳定性问题。图 8-4 显示需要两个滤波电容器，一个 10pF 至 0.5µF 的 CHF，以及另一个 2.2µF 至 22µF 的 CLF。根据应用要求，使用串联隔离电阻 RISO 或缓冲器 RCOMP。
(1) 所需的补偿组件。
图 8-4 在 VREF 上具有容性负载时实现稳定运行