ZHCSPX8C January 2000 – January 2026 XTR115 , XTR116
PRODUCTION DATA
外部晶体管 Q1 传导大部分满量程输出电流。在高环路电压 (40V) 和 20mA 输出电流下，该晶体管的功率耗散可接近 0.8W。XTR11x 设计为使用外部晶体管来避免片上出现热致误差。Q1 产生的热量仍会导致环境温度发生变化，从而影响 XTR11x 性能。为了更大限度地减少这些影响，请将 Q1 放置在远离敏感模拟电路（包括 XTR11x）的位置。安装 Q1 可将热量传导到换能器外壳的外部，且远离 XTR11x 系列器件。
XTR11x 旨在使用几乎任何具有足够电压、电流和额定功率的 NPN 晶体管。外壳样式和热安装注意事项通常会影响给定应用的选择。图 8-1 中列出了几种可能的选择。MOSFET 晶体管不会提高 XTR11x 的精度，因此不建议使用。尽管 XTR11x 无需额外的外部晶体管即可使用，但由于存在自热问题，这种配置在较高环路电压和电流下并不总是实用。