ZHCSU86 January 2024 UCC21330
PRODUCTION DATA
8.2.2.2 选择外部自举二极管及其串联电阻
每个周期，当低侧晶体管导通时，自举电容器会由 VDD 通过外部自举二极管进行充电。为电容器充电涉及到高峰值电流，因此自举二极管上的瞬态功率耗散可能会非常大。导通损耗还取决于二极管的正向压降。栅极驱动器电路中的总损耗包括二极管导通损耗和反向恢复损耗。
选择外部自举二极管时，建议选择高电压、快速恢复二极管或者具有低正向压降和低结电容的 SiC 肖特基二极管，以更大限度地减少反向恢复和相关接地噪声反弹引入的损耗。本例中，直流链路电压为 800 VDC。自举二极管的电压等级应该大于直流链路电压并保留充分的裕度。因此，本例中选择了 1200V SiC 二极管 C4D02120E。
设计自举电源时，建议使用自举电阻 RBOOT。自举电阻还可用于降低 DBOOT 中的浪涌电流，并限制每个开关周期内 VDDA-VSSA 电压的斜升压摆率。
如果不能将 VDDx-VSSx 的电压限制在 FET 和 UCC21330 的绝对最大额定值以下，某些情况下可能会损坏器件。
RBOOT 的建议值在 1Ω 和 20Ω 之间，具体取决于所用的二极管。本例中选择了一个 2.2Ω 限流电阻器来限制自举二极管中的浪涌电流。在最坏的情况下，流经 DBoot 的峰值电流估计为：
方程式 2. 
其中
- VBDF 是 8A 条件下自举二极管上的预计正向压降。