ZHCSSB7B June   2023  – October 2023 TSM24CA-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4修订历史记录
  6. 5引脚配置和功能
  7. 6规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - AEC 规格
    3. 6.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 6.4 ESD 等级 - ISO 规格
    5. 6.5 建议运行条件
    6. 6.6 热性能信息
    7. 6.7 Electrical Characteristics
    8. 6.8 典型特性
  8. 7应用和实施
    1. 7.1 应用信息
  9. 8器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBZ|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.7 Electrical Characteristics

At TA = 25°C unless otherwise noted
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
VRWM Reverse stand-off voltage IIO < 100 nA -24 24 V
ILEAK Leakage current at VRWM VIO = 24 V, I/O to GND and GND to I/O 25 75 nA
VBR Breakdown voltage, I/O to GND and GND to I/O (1) IIO = 10 mA 25.5 V
VCLAMP Surge clamping voltage, tp = 8/20 µs (3) IPP = 24A, I/O to GND and GND to I/O 40 V
CLINE Line capacitance, IO to GND VIO = 0 V, f = 1 MHz 12 pF
(1) VBR is defined as the voltage obtained at 10 mA when sweeping the voltage up, before the device latches into the snapback state
(2) Device stressed with 8/20 µs exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5