ZHDS435 September 2026 TPSM706A5
PRODUCT PREVIEW
3 说明
TPSM706A5 是一款 GaN 同步降压 DC/DC 模块，它在紧凑的增强型 HotRod QFN 封装中集成了控制器、GaN FET、功率电感器和无源器件。这些特性有助于轻松实现超高密度、出色的电源转换效率和低电磁干扰 (EMI) 设计。集成的低 RDS(on) GaN FET 具有接近零的死区时间开关性能，可在 5V 至 65V 的宽输入电压范围内（瞬变电压高达 80V）提供高达 15A 的输出电流。
TPSM706A5 采用峰值电流模式架构，通过同步交错实现相位堆叠，通过并联相位可实现的均流控制，从而提供更高的输出电流。在恒压 (CV) 下运行，采用具有共享补偿功能的双环路架构，可为电池充电和其他电流源型负载提供恒流 (CC) 调节。这种紧密结合的方法可实现 CV 和 CC 模式之间的无缝切换，并提供，从而有效降低需要平均输出电流控制的应用物料清单 (BOM) 成本。VSET 和 ISET 输入有助于动态调整相应 CV 和 CC 环路设定点，而 IMON 输出可监测平均输出电流。
典型电路原理图
预估效率，VIN = 48V，VOUT = 3.3V，FSW = 300kHz25ns 的高侧开关超短导通时间有助于获得大降压比，支持从 24V 或 48V 输入到低电压轨的直接转换，从而降低系统设计成本和复杂性。TPSM706A5 在输入电压突降至 5V 时，仍能根据需要以接近 100% 的占空比继续工作。20μA 睡眠静态电流及稳压输出电压可延长电池供电系统的工作时间。
TPSM706A5 包含多种特性，可轻松满足 CISPR 11 和 CISPR 32 传导辐射要求。首先，高度集成的模块不仅可以充分减小设计尺寸，还可以更大限度地减小寄生电感并提高 EMI 性能。采用时序可预测的 GaN FET 栅极驱动器，结合集成的自举开关和电容器，可将开关切换过程中的死区时间降至最短，从而降低开关损耗，并提升高输入电压和高开关频率下的 EMI 性能。为了减小输入电容器纹波电流和 EMI 滤波器尺寸，使用 SYNCOUT 信号交错运行，而且可编程的相移功能非常适合级联、多通道或多相设计。高达 2.2MHz 的通过电阻器调节的开关频率可同步至高达 2.64MHz 的外部时钟源，从而消除噪声敏感应用中的拍频。最后，TPSM706A5 具有双随机展频 (DRSS) 特性，这项独特的 EMI 降低特性将低频三角调制与高频随机调制相结合，可分别在较低和较高频带上降低 EMI 干扰。
TPSM706A5 的其他特性包括：在 150°C 的最高结温下运行；用户可选的 PFM 模式可降低轻载条件下的电流消耗；带同步充电功能的集成自举电容器实现可靠的电平位移；漏极开路电源正常 (PG) 指示器用于故障报告与输出监测；精密使能输入实现输入 UVLO；预偏置负载下的单调启动；双输入 VCC 偏置子稳压器；；断续模式过载保护；以及具有自动恢复功能的控制器热关断保护。
TPSM706A5采用 9.2mm × 8.8mm 热增强型 30 引脚 eQFN 封装，该封装运用倒装芯片可布线引线框架 (FCRLF) 技术，。TPSM706A5 具有高性能 GaN 功率 FET（基于 TI 专有的 GaN IC 技术）、热管理和 EMI 抑制特性、CC/CV 运行能力以及小设计尺寸，是一种不错的负载点稳压器选择，适用于需要高效 GaN 设计并具有可用电流、使用寿命可靠性和成本优势的应用。