ZHCSQF3A April   2022  – November 2022 TPSI2140-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Insulation Specifications
    6. 6.6 Safety-Related Certifications
    7. 6.7 Electrical Characteristics
    8. 6.8 Switching Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Avalanche Robustness
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure Chassis Ground Reference
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 Trademarks
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 术语表
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 13.1 Tape and Reel Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DWQ|11
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C 的工作环境温度范围
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 旨在并符合在过压条件下以雪崩模式运行的标准
      • IAVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
    • 1200V 关断电压
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON，TOFF < 700μs
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
    • 3.5 μA 关断状态电流
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 辅助设计的文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000VRMS/1500VDC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 VISO 高达 3750VRMS/5300VDC
    • 峰值浪涌 VIOSM 高达 5000V
    • ± 100 V/ns CMTI（典型值）
  • 采用具有宽引脚的 SOIC (DWQ-11) 封装，提高了热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • （计划）UL 1577 组件认证计划