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  • 具有反向电流保护功能的 TPS737-Q1 1A 低压降稳压器

    • ZHCSKA4B December   2008  – September 2019 TPS737-Q1

      PRODUCTION DATA.  

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  • 具有反向电流保护功能的 TPS737-Q1 1A 低压降稳压器
  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用电路
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagrams
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Output Noise
      2. 7.3.2 Internal Current Limit
      3. 7.3.3 Enable Pin and Shutdown
      4. 7.3.4 Reverse Current
      5. 7.3.5 Thermal Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 8.2.2.2 Dropout Voltage
        3. 8.2.2.3 Transient Response
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Improve PSRR and Noise Performance
      2. 10.1.2 Power Dissipation
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装
  13. 重要声明

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRB|8
    • MPDS118K
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRB|8
    • QFND058N
订购信息
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DATA SHEET

具有反向电流保护功能的 TPS737-Q1 1A 低压降稳压器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

1 特性

  • 符合汽车类 应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4A
  • 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
  • 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
  • 超低压降：1A 为 130mV（典型值）
  • 即使使用仅为 1µF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 初始精度为 1%
  • 整个线路、负载和温度范围内的精度达 3%
  • 关断模式下静态电流小于 20nA（典型值）
  • 通过热关断和电流限制实现故障保护
  • 提供了多个输出电压版本

2 应用

  • 适用于 DSP、FPGA、ASIC 和微处理器的负载点调节
  • 适用于开关电源的后置稳压
  • 便携式和电池供电类设备

3 说明

TPS737xx-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器系列在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。

TPS737xx-Q1 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供极低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗低于 20nA，适用于便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS737-Q1 VSON (8) 3.00mm × 3.00mm
  1. 要了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

Device Images

典型应用电路

TPS737-Q1 ai_typ_app_fix_bvs123.gif

4 修订历史记录

Changes from A Revision (July 2016) to B Revision

  • Changed 更改了器件温度等级、AEC-Q100 “特性” 项目符号Go
  • Deleted 删除了子项目符号 （从“特性” 输出电压版本 项目符号中）Go

Changes from * Revision (December 2008) to A Revision

  • Added 添加了器件信息 表、引脚配置和功能 部分、规格 部分、ESD 额定值 表、建议运行条件 表、热性能信息 表、详细 说明 部分、应用和实施 部分、电源建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go
  • Deleted 删除了订购信息表，请参阅数据表末尾的 POAGo

5 Pin Configuration and Functions

DRB Package
8-Pin VSON
Top View

Pin Functions

PIN I/O DESCRIPTION
NAME NO.
EN 5 I Driving the enable pin (EN) high turns on the regulator. Driving this pin low puts the regulator into shutdown mode. See Enable Pin and Shutdown for more details. EN must not be left floating and can be connected to IN if not used.
FB 3 I Adjustable voltage version only. This is the input to the control loop error amplifier, and it is used to set the output voltage of the device.
GND 4, Pad G Ground
IN 8 I Unregulated input supply
NR 3 — Fixed voltage versions only. Connecting an external capacitor to this pin bypasses noise generated by the internal bandgap, reducing output noise to very low levels.
OUT 1 O Regulator output. A 1-µF or larger capacitor of any type is required for stability.
NC 2, 6, 7 — No internal connection

6 Specifications

6.1 Absolute Maximum Ratings

over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)(1)
MIN MAX UNIT
Input supply voltage –0.3 6 V
Enable voltage –0.3 6 V
Output voltage –0.3 5.5 V
Input voltage NR or FB pin –0.3 6 V
Peak output current Internally limited
Output short-circuit duration Indefinite
Junction temperature range, TJ –55 150 °C
Storage temperature, Tstg –65 150 °C
(1) Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, which do not imply functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended Operating Conditions. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.

6.2 ESD Ratings

VALUE UNIT
V(ESD) Electrostatic discharge Human-body model (HBM), per AEC Q100-002(1) ±2000 V
Charged-device model (CDM), per AEC Q100-011 ±500
(1) AEC Q100-002 indicates that HBM stressing shall be in accordance with the ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 specification.

6.3 Recommended Operating Conditions

over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
MIN MAX UNIT
VIN Input supply voltage 2.2 5.5 V
IOUT Output current 0 1 A
TJ Operating junction temperature –40 125 °C

6.4 Thermal Information

THERMAL METRIC(1) TPS737xx-Q1 UNIT
DRB (VSON)
8 PINS
RθJA Junction-to-ambient thermal resistance 52.2 °C/W
RθJC(top) Junction-to-case (top) thermal resistance 59.4 °C/W
RθJB Junction-to-board thermal resistance 19.3 °C/W
ψJT Junction-to-top characterization parameter 2 °C/W
ψJB Junction-to-board characterization parameter 19.3 °C/W
RθJC(bot) Junction-to-case (bottom) thermal resistance 11.8 °C/W
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application report.

 
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