ZHCSCN5E March   2013  – September 2014 TPS659119-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用范围
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 说明（继续）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  Handling Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Characteristics
    5. 7.5  External Component Recommendation
    6. 7.6  I/O Pullup and Pulldown Characteristics
    7. 7.7  Digital I/O Voltage Electrical Characteristics
    8. 7.8  I2C Interface and Control Signals
    9. 7.9  Switching Characteristics—I2C Interface and Control Signals
    10. 7.10 Power Consumption
    11. 7.11 Power References and Thresholds
    12. 7.12 Thermal Monitoring and Shutdown
    13. 7.13 32-kHz RTC Clock
    14. 7.14 VRTC LDO
    15. 7.15 VIO SMPS
    16. 7.16 VDD1 SMPS
    17. 7.17 VDD2 SMPS
    18. 7.18 EXTCTRL
    19. 7.19 LDO1 AND LDO2
    20. 7.20 LDO3 and LDO4
    21. 7.21 LDO5
    22. 7.22 LDO6 and LDO7
    23. 7.23 LDO8
    24. 7.24 Timing Requirements for Boot Sequence Example
    25. 7.25 Power Control Timing Requirements
    26. 7.26 Device SLEEP State Control Timing Requirements
    27. 7.27 Supplies State Control Through EN1 and EN2 Timing Characteristics
    28. 7.28 VDD1 Supply Voltage Control Through EN1 Timing Requirements
    29. 7.29 Typical Characteristics
      1. 7.29.1 VIO SMPS Curves
      2. 7.29.2 VDD1 SMPS Curves
      3. 7.29.3 VDD2 SMPS Curves
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Power Reference
      2. 8.3.2 Power Resources
      3. 8.3.3 PWM and LED Generators
      4. 8.3.4 Dynamic-Voltage Frequency Scaling and Adaptive-Voltage Scaling Operation
      5. 8.3.5 32-kHz RTC Clock
      6. 8.3.6 Real-Time Clock (RTC)
      7. 8.3.7 Thermal Monitoring and Shutdown
      8. 8.3.8 Crystal Oscillator Power-On Reset
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Embedded Power Controller
        1. 8.4.1.1 State-Machine
          1. 8.4.1.1.1 Device POWER-ON Enable Conditions
          2. 8.4.1.1.2 Device POWER ON Disable Conditions
          3. 8.4.1.1.3 Device SLEEP Enable Conditions
          4. 8.4.1.1.4 Device Reset Scenarios
        2. 8.4.1.2 Boot Configuration and Switch-On and Switch-Off Sequences
        3. 8.4.1.3 Control Signals
          1. 8.4.1.3.1  SLEEP
          2. 8.4.1.3.2  PWRHOLD
          3. 8.4.1.3.3  BOOT1
          4. 8.4.1.3.4  NRESPWRON, NRESPWRON2
          5. 8.4.1.3.5  CLK32KOUT
          6. 8.4.1.3.6  PWRON
          7. 8.4.1.3.7  INT1
          8. 8.4.1.3.8  EN2 and EN1
          9. 8.4.1.3.9  GPIO0-8
          10. 8.4.1.3.10 HDRST Input
          11. 8.4.1.3.11 PWRDN
          12. 8.4.1.3.12 Watchdog
          13. 8.4.1.3.13 Tracking LDO
    5. 8.5 Programming
      1. 8.5.1 Time-Calendar Registers
      2. 8.5.2 General Registers
      3. 8.5.3 Compensation Registers
      4. 8.5.4 Backup Registers
      5. 8.5.5 I2C Interface
        1. 8.5.5.1 Addressing
        2. 8.5.5.2 Access Protocols
          1. 8.5.5.2.1 Single-Byte Access
          2. 8.5.5.2.2 Multiple-Byte Access To Several Adjacent Registers
      6. 8.5.6 Interrupts
    6. 8.6 Register Maps
      1. 8.6.1 Functional Registers
      2. 8.6.2 TPS659119-Q1_FUNC_REG Register Mapping Summary
      3. 8.6.3 TPS659119-Q1_FUNC_REG Register Descriptions
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Step-down Converter Input Capacitors
        2. 9.2.2.2 Step-down Converter Output Capacitors
        3. 9.2.2.3 Step-down Converter Inductors
        4. 9.2.2.4 LDO Input Capacitors
        5. 9.2.2.5 LDO Output Capacitors
        6. 9.2.2.6 VCC7
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 器件命名规则
    2. 12.2 商标
    3. 12.3 静电放电警告
    4. 12.4 术语表
  13. 13机械封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12 器件和文档支持

12.1 器件支持

12.1.1 器件命名规则

Table 92. 首字母缩写词、缩略语和定义

首字母缩写词 定义
DDR 双倍数据速率（存储器）
ES 工程样品
ESD 静电放电
FET 场效应晶体管
EPC 嵌入式电源控制器
FSM 有限状态机
GND 接地
GPIO 通用 I/O
HBM 人体模型
HD 热模
HS-I2C 高速 I2C
I2C 内部集成电路
IC 集成电路
ID 标识
IDDQ 静态电源电流
IEEE 电气电子工程师协会
IR 指令寄存器
I/O 输入/输出
JEDEC 联合电子器件工程设计委员会
JTAG 联合测试行动组
LBC7 Lin Bi-CMOS 7 (360nm)
LDO 低压降线性稳压器
LP 低功耗应用模式
LSB 最低有效位
MMC 多媒体卡
MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管
NVM 非易失性内存
OD 开漏
OMAP™ 开放式多媒体应用平台™
RTC 实时时钟
SMPS 开关模式电源
SPI 串行外设接口
POR 上电复位中添加了 T659119KB 器件标识信息

12.2 商标

OMAP is a trademark of TI.

All other trademarks are the property of their respective owners.

12.3 静电放电警告

esds-image

ESD 可能会损坏该集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可能会损坏集成电路。

ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

12.4 术语表

SLYZ022 — TI 术语表。

这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。