ZHCSS55 January 2024 TPS56A37
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源电流 | ||||||
| IQ | 工作静态电流 (1) | TJ = 25°C,VEN = 5V, VFB = 0.65V,非开关 | 45 | µA | ||
| ISHDNN | 关断电源电流 | TJ = 25°C,VEN = 0V | 3 | µA | ||
| UVLO | ||||||
| UVLO | VIN 欠压锁定 | 唤醒 VIN 电压 | 4.0 | 4.2 | 4.4 | V |
| 关断 VIN 电压 | 3.5 | 3.65 | 3.8 | V | ||
| 迟滞 VIN 电压 | 550 | mV | ||||
| 使能(EN 引脚) | ||||||
| IEN_PULLUP | EN 上拉电流 | VEN = 1.1V | 1 | µA | ||
| IEN_HYS | 迟滞电流 | VEN = 1.3V | 3 | µA | ||
| VEN_ON | 启用阈值 | EN 上升 | 1.18 | 1.26 | V | |
| VEN_OFF | EN 下降 | 1 | 1.07 | V | ||
| 反馈电压 | ||||||
| VFB | 反馈电压 | VOUT = 5V,连续模式运行,TJ = 25°C | 0.594 | 0.6 | 0.606 | V |
| VOUT = 5V,连续模式运行,TJ = –40°C 至 150°C | 0.591 | 0.6 | 0.609 | V | ||
| MOSFET | ||||||
| Rdson_HS | 高侧 MOSFET 导通电阻 | TJ = 25°C,VBST - VSW = 5V | 19.4 | mΩ | ||
| Rdson_LS | 低侧 MOSFET 导通电阻 | TJ = 25°C | 8.5 | mΩ | ||
| 电流限值 | ||||||
| ILS_OCL | 低侧 MOSFET 谷值电流限制 | 10 | 12 | 13.8 | A | |
| IHS_OCL | 高侧 MOSFET 峰值电流限制 | 12.75 | 15 | 17.25 | A | |
INOCL | 低侧 MOSFET 负电流限制 | 2.5 | A | |||
占空比和频率控制 | ||||||
| FSW | 开关频率 | VIN = 24V,VOUT = 5V,连续模式运行 | 500 | kHz | ||
| tON(MIN) | 最短导通时间(2) | 50 | ns | |||
| tOFF(MIN) | 最短关断时间(2) | TJ = 25°C | 150 | ns | ||
| 软启动 | ||||||
| tSS | 内部软启动时间 | 1.8 | ms | |||
| ISS | 软启动充电电流 | 6 | uA | |||
| 电源正常 | ||||||
| VPGTH | PG 阈值下限 - 下降 | VFB 的百分比 | 85% | |||
| PG 下限阈值 - 上升 | VFB 的百分比 | 90% | ||||
| PG 上限阈值 - 下降 | VFB 的百分比 | 110% | ||||
| PG 上限阈值 - 上升 | VFB 的百分比 | 115% | ||||
| IPGSINK | PG 灌电流 | VFB = 0.5V,VPG = 0.4V | 10 | mA | ||
| tPG_DLY | PG 延迟 | PG 从低电平到高电平 | 64 | µs | ||
| PG 从高电平到低电平 | 32 | us | ||||
| VOVP | 输出 OVP 阈值 | OVP 检测 | 125% | |||
| tOVP_DEG | OVP 传播抗尖峰脉冲 | TJ = 25°C | 32 | us | ||
| VUVP | 输出 UVP 阈值 | 断续检测 | 65% | |||
| tUVP_WAIT | UV 保护断续等待时间 | 256 | us | |||
| tUVP_HICCUP | 恢复前的 UV 保护断续时间 | 10.5 × tSS | s | |||
| 热关断 | ||||||
| 热关断阈值(3) | 温度上升 | 150 | 165 | °C | ||
| 迟滞 | 30 | ℃ | ||||
| SW 放电电阻 | ||||||
| VOUT 放电电阻 | VEN = 0,VSW = 0.5V,TJ = 25°C | 200 | Ω | |||