ZHCSXS4B January   2025  – December 2025 TPS542021 , TPS542025

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  固定频率 PWM 控制
      2. 6.3.2  脉冲频率调制
      3. 6.3.3  误差放大器
      4. 6.3.4  斜坡补偿和输出电流
      5. 6.3.5  启用并调节欠压锁定
      6. 6.3.6  安全启动至预偏置输出
      7. 6.3.7  电压基准
      8. 6.3.8  调节输出电压
      9. 6.3.9  内部软启动
      10. 6.3.10 自举电压(BOOT)
      11. 6.3.11 过流保护
        1. 6.3.11.1 高侧 MOSFET 过流保护
        2. 6.3.11.2 低侧 MOSFET 过流保护
      12. 6.3.12 展频
      13. 6.3.13 输出过压保护 (OVP)
      14. 6.3.14 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 Eco-mode 运行
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 TPS542021 5V 至 30V 输入、5V 输出转换器
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 输入电容器选型
        2. 7.2.3.2 自举电容器选型
        3. 7.2.3.3 输出电压设定点
        4. 7.2.3.4 欠压锁定设定点
        5. 7.2.3.5 输出滤波器元件
          1. 7.2.3.5.1 电感器选型
          2. 7.2.3.5.2 输出电容器选型
          3. 7.2.3.5.3 前馈电容
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

概述

TPS54202x 系列器件是具有两个集成式 N 通道 MOSFET 的 4.5V 至 30V 输入、2A 输出同步降压转换器。为了提高线路和负载瞬态性能,该器件实现了恒定频率、峰值电流模式控制,降低了输出电容。这些器件采用脉冲频率调制,可实现更高的轻负载效率并减少功率损耗。开关频率固定为 500kHz。TPS542025 具有固定的 5V 输出,而 TPS542021 具有可调输出。经过优化的内部补偿网络更大限度地减少了外部元件数量,并简化了控制环路设计。

VIN 等于 4.5V 时,器件开始切换。在不进行切换且没有负载的情况下,工作电流为 26μA(典型值)。该器件禁用后,电源电流通常为 2µA。

集成的 100mΩ 高侧 MOSFET 和 60mΩ 可实现高效率电源设计,其连续输出电流高达 2A。

该器件通过集成自举再充电二极管减少外部元件数量。BOOT-PH 引脚连接的外部电容为集成高侧 MOSFET 提供偏置电压。UVLO 电路监测自举电容电压,当其降至预设阈值(通常为 2.1V)以下时,高侧 MOSFET 随即关断。

引入展频频谱操作以降低电磁干扰 (EMI)。

该器件通过利用过压比较器来更大限度地减少过多的输出过压瞬变。当经调节的输出电压高于标称电压的 108% 时,过压比较器便会激活,并会关闭并禁止开启高侧 MOSFET,直到输出电压低于标称电压的 104%。

该器件具有 5ms 内置软启动时间,可最大限度地降低浪涌电流。