ZHCSFG9A August   2016  – August 2016 TPS54116-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  Fixed Frequency PWM Control
      2. 7.3.2  Bootstrap Voltage (BOOT) and Low Dropout Operation
      3. 7.3.3  Error Amplifier
      4. 7.3.4  Voltage Reference and Adjusting the Output Voltage
      5. 7.3.5  Enable and Adjusting Undervoltage Lockout
      6. 7.3.6  Soft Start and Tracking
      7. 7.3.7  Start-up into Pre-Biased Output
      8. 7.3.8  Power Good
      9. 7.3.9  Sequencing
      10. 7.3.10 Constant Switching Frequency and Timing Resistor (RT/SYNC)
      11. 7.3.11 Buck Overcurrent Protection
      12. 7.3.12 Overvoltage Transient Protection
      13. 7.3.13 VTT Sink and Source Regulator
      14. 7.3.14 VTTREF
      15. 7.3.15 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1  Switching Frequency
        2. 8.2.2.2  Output Inductor Selection
        3. 8.2.2.3  Output Capacitor
        4. 8.2.2.4  Input Capacitor
        5. 8.2.2.5  Soft Start Capacitor
        6. 8.2.2.6  Undervoltage Lock Out Set Point
        7. 8.2.2.7  Bootstrap Capacitor
        8. 8.2.2.8  Power Good Pullup
        9. 8.2.2.9  ILIM Resistor
        10. 8.2.2.10 Output Voltage and Feedback Resistors Selection
        11. 8.2.2.11 Compensation
        12. 8.2.2.12 LDOIN Capacitor
        13. 8.2.2.13 VTTREF Capacitor
        14. 8.2.2.14 VTT Capacitor
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 社区资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RTW|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
    • 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
  • 4A 同步降压转换器
    • 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
    • 固定频率电流模式控制
    • 可调频率范围：100kHz 至 2.5MHz
    • 与一个外部时钟同步
    • 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
    • 可调逐周期峰值电流限制
    • 针对预偏置输出的单调性启动
  • 直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器
    • 与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定
    • 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
  • 独立使能引脚，欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调
  • 热关断
  • 运行温度 (TJ) 范围：-40°C 至 150°C
  • 24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装

2 应用

  • 嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源
  • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 终端
  • 信息娱乐和仪表板
  • 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)

3 说明

TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器，其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。

TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求，而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件，并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整，从而针对小尺寸电感进行优化。

VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应，从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测，从而实现最佳的稳压效果。

该器件可利用使能引脚进入关断模式，从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。

该器件具备全集成特性，并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装，最大限度地减小了 IC 尺寸。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS54116-Q1 WQFN (24) 4.00mm x 4.00mm
  1. 如需了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

简化电路原理图

TPS54116-Q1 sco3_simplifiedschematic.gif

4 修订历史记录

Changes from * Revision (August 2016) to A Revision