ZHCSVC0 May   2025 TPS4816-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、GATE、BST、SRC）
      2. 8.3.2 容性负载驱动
        1. 8.3.2.1 使用旁路 FET（G 驱动器）为负载电容器充电
        2. 8.3.2.2 使用主 FET（GATE 驱动）栅极压摆率控制
      3. 8.3.3 过流和短路保护
        1. 8.3.3.1 I2t 过流保护
          1. 8.3.3.1.1 具有自动重试功能的 I2t 过流保护
          2. 8.3.3.1.2 采用闭锁配置的 I2t 过流保护
        2. 8.3.3.2 短路保护
      4. 8.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      5. 8.3.5 基于 NTC 的温度检测 (TMP) 和模拟监测器输出 (ITMPO)
      6. 8.3.6 故障指示和诊断 (FLT)
      7. 8.3.7 反极性保护
      8. 8.3.8 欠压 (UVLO) 和过压 (OV) 保护
      9. 8.3.9 TPS48161-Q1 用作简单的栅极驱动器
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电
      2. 8.4.2 关断模式
      3. 8.4.3 工作模式 (AM)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：驱动电容负载
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.2.2 使用主 FET（GATE 驱动）栅极压摆率控制

在不使用低功耗旁路路径的应用中，可以使用主 FET GATE 驱动控制来进行电容充电。

为了在具有容性负载的主 FET 导通期间限制浪涌电流，请使用 R1、R2、C1、D2，如图 8-4 所示。R1 和 C1 元件会减慢主 FET 栅极的电压斜坡速率。FET 源极跟随栅极电压，从而在输出电容器上实现受控电压斜坡。

使用与 C1 串联的阻尼电阻 R2（大约 10Ω）。D2 通过绕过 R1 确保快速关断 GATE 驱动器。

TPS4816-Q1 主路径中的浪涌电流限制图 8-4 主路径中的浪涌电流限制