ZHDS018 December   2025 TPS2HC16-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SNS 时序特性
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  输入电压阈值
      2. 8.3.2  精确的电流检测
        1. 8.3.2.1 SNS 响应时间
        2. 8.3.2.2 SNS 输出滤波器
        3. 8.3.2.3 跨通道电流检测的多路复用
        4. 8.3.2.4 跨器件电流检测的多路复用
      3. 8.3.3  过流保护
        1. 8.3.3.1 可调节限流
          1. 8.3.3.1.1 使用热调节的电流限制
          2. 8.3.3.1.2 不使用热调节的电流限制
          3. 8.3.3.1.3 电流限制折返
          4. 8.3.3.1.4 电流限制准确度
        2. 8.3.3.2 热关断
          1. 8.3.3.2.1 相对热关断
          2. 8.3.3.2.2 绝对热关断
      4. 8.3.4  热关断的重试保护机制
      5. 8.3.5  电感负载关断钳位
      6. 8.3.6  较慢压摆率选项
      7. 8.3.7  电容性负载充电
        1. 8.3.7.1 用于浪涌控制的可调节电流限制
        2. 8.3.7.2 具有容性负载热调节功能的电流限制
        3. 8.3.7.3 容性负载的重试热关断行为
        4. 8.3.7.4 直流负载对电容充电能力的影响
        5. 8.3.7.5 器件功能
      8. 8.3.8  灯泡充电
        1. 8.3.8.1 灯泡负载的非热调节模式
        2. 8.3.8.2 灯泡浪涌期间的热管理
        3. 8.3.8.3 器件功能
      9. 8.3.9  故障检测和报告
        1. 8.3.9.1 诊断使能功能
        2. 8.3.9.2 FLT 报告
        3. 8.3.9.3 FLT 时序
        4. 8.3.9.4 故障表
      10. 8.3.10 全面诊断
        1. 8.3.10.1 开路负载检测
          1. 8.3.10.1.1 通道导通
          2. 8.3.10.1.2 通道关断
        2. 8.3.10.2 电池短路检测
        3. 8.3.10.3 反极性和电池反向保护
      11. 8.3.11 全面保护
        1. 8.3.11.1 UVLO 保护
        2. 8.3.11.2 接地失效保护
        3. 8.3.11.3 电源失效保护
        4. 8.3.11.4 反向电流保护
        5. 8.3.11.5 MCU I/O 保护
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 EMC 瞬态干扰测试
      3. 9.2.3 瞬态热性能
      4. 9.2.4 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
        1. 9.4.2.1 无接地网络
        2. 9.4.2.2 有接地网络
      3. 9.4.3 可湿侧面封装
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VAH|11
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.7.4 直流负载对电容充电能力的影响

当设计同一通道上同时存在容性和直流负载的系统时，必须考虑其综合热效应：

  • 热预算消耗：任何与容性负载并联的直流负载都会消耗器件部分热预算。直流负载的功率耗散 (I²R) 会产生热量，从而提高功率 FET 的基线温度。

  • 容性充电能力降低：当 FET 到直流负载发生功率耗散时，工作温度和热关断阈值之间的阈值会减小。这有效地降低了可安全充电且不触发热关断的最大电容值。

  • 加速热关断关机：直流负载电流和电容充电电流的综合热效应会加速热关断的开始。这可能导致器件在电容充电期间更早、更频繁地进入重试机制。

  • 设计注意事项：当必须同时支持两种负载类型时：

    • 选择更保守（更高）的 RLIM 值以降低电流限制。

    • 提供足够的 PCB 覆铜面积以改善散热。

    • 对于关键应用，考虑为直流负载和容性负载使用独立的通道。

有关驱动感性或容性负载的更多信息，请参阅 TI 的《如何利用智能高侧开关驱动电阻、电感、电容和照明负载》应用报告。