ZHCSIW7D October   2018  – May 2026 TPS25982

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 欠压保护（UVLO 和 UVP）
      2. 7.3.2 过压保护 (OVP)
      3. 7.3.3 浪涌电流、过流和短路保护
        1. 7.3.3.1 压摆率和浪涌电流控制 (dVdt)
        2. 7.3.3.2 断路器
        3. 7.3.3.3 工作电流限制
        4. 7.3.3.4 短路保护
      4. 7.3.4 过热保护 (OTP)
      5. 7.3.5 模拟负载电流监测器 (IMON)
      6. 7.3.6 电源正常 (PG)
      7. 7.3.7 负载检测/握手 (LDSTRT)
    4. 7.4 故障响应
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用：在数据中心服务器中提供待机电源轨保护
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 器件选择
        2. 8.2.2.2 设置限流阈值：RILIM 选型
        3. 8.2.2.3 设置欠压锁定设定点
        4. 8.2.2.4 选择电流监测电阻：RIMON
        5. 8.2.2.5 设置输出电压斜坡时间 (TdVdt)
          1. 8.2.2.5.1 情况 1：在不含负载的条件下启动：仅输出电容 COUT 消耗电流
          2. 8.2.2.5.2 情况 2：在含有负载的条件下启动：输出电容 COUT 和负载消耗电流
        6. 8.2.2.6 设置负载握手 (LDSTRT) 延迟
        7. 8.2.2.7 设置瞬态过流消隐时间间隔 (tITIMER)
        8. 8.2.2.8 设置自动重试延迟和重试次数
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
      1. 8.3.1 光学模块电源轨路径保护
        1. 8.3.1.1 设计要求
        2. 8.3.1.2 器件选择
        3. 8.3.1.3 外部元件设置
        4. 8.3.1.4 压降
        5. 8.3.1.5 应用曲线
      2. 8.3.2 为 12V 电压轨应用提供输入保护：PCIe 卡、存储接口和直流风扇
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 瞬态保护
      2. 8.4.2 输出短路测量
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.2.2.5.2 情况 2：在含有负载的条件下启动：输出电容 COUT 和负载消耗电流

当负载在导通序列期间消耗电流时，会消耗额外的功率。考虑到启动期间的电阻负载 RL(SU)，在 TdVdt 时间内，负载电流随着输出电压的增加而成比例斜升。方程式 22 显示了充电期间由于电阻负载而产生的内部 FET 平均功耗。

方程式 22. P D ( L O A D ) = 1 6 × V I N 2 R L ( S U )

方程式 23 给出了启动期间器件的总功耗

方程式 23. P D ( S T A R T U P ) = P D ( I N R U S H ) + P D ( L O A D )

在所选启动时间内，含有负载和不含负载的功耗不得超过启动期间的热关断图中所示的启动热关断限制

TPS25982 启动期间的热关断图图 8-2 启动期间的热关断图

对于本文所讨论的设计示例，输出电压必须在 20ms 内斜升，这就要求 12V 电压轨的压摆率为 0.6V/ms。

设置 0.6V/ms 转换率所需的 dVdt 引脚 CdVdt 电容可使用 方程式 24 计算得出

方程式 24. C d V d t p F = 4600 S R V m s = 7666 p F

启动期间，dVdt 电容器通常会经受 VIN + 4V。高压偏置导致有效电容值下降。因此，建议选择比计算值高 20%，得到 9.2nF。选择最接近的 10% 标准值：10nF

10nF 的 CdVdt 电容可设置 0.46V/ms 的转换率和 26ms 的输出斜坡时间 TdVdt。

斜升期间，负载电容 COUT 消耗的浪涌电流可使用方程式 25 计算得出

方程式 25. I I N R U S H = 1.4 m F × 12 V 26 m s = 0.65 A

浪涌功耗可使用方程式 26 计算得出

方程式 26. P D ( I N R U S H ) = 0.5 × 12 × 0.65 = 3.9 W

对于 3.9W 功率损耗，器件的热关断时间必须大于斜升时间 TdVdt，才能确保成功启动。图 8-2 显示了启动热关断限制。对于 3.9W 功率，关断时间约为 100ms。因此，在不含任何输出负载的条件下，使用 26ms 作为启动时间是安全的。

启动期间存在 10Ω 负载时的额外功耗可使用方程式 27 计算得出

方程式 27. P D ( L O A D ) = 1 6 × 12 2 10 = 2.4 W

启动期间的总器件功耗可使用方程式 28 计算得出

方程式 28. P D ( S T A R T U P ) = 3.9 + 2.4 = 6.3 W

根据启动期间的热关断图，对于 6.3W，热关断时间约为 40ms。预留 30% 的裕度是安全的，可允许系统参数（例如负载、元件容差和输入电压）发生变化。因此，将 10nF 的 CdVdt 电容器与 10Ω 的启动负载搭配使用，完全在可接受的限制范围内。

当 COUT 较大时，需降低启动期间的功耗。这可通过增加 CdVdt 电容器的值来实现。可在线使用的电子表格工具 TPS25982xx 设计计算器 可用于迭代计算。