ZHCSIO7A August   2018  – December 2018 TLV6001-Q1 , TLV6002-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     CMRR 和 PSRR 与温度间的关系
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions: TLV6001-Q1
    2.     Pin Functions: TLV6002-Q1
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information: TLV6001-Q1
    5. 6.5 Thermal Information: TLV6002-Q1
    6. 6.6 Electrical Characteristics: VS = 1.8 V to 5 V (±0.9 V to ±2.75 V)
    7. 6.7 Typical Characteristics: Table of Graphs
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Operating Voltage
      2. 7.3.2 Rail-to-Rail Input
      3. 7.3.3 Rail-to-Rail Output
      4. 7.3.4 Common-Mode Rejection Ratio (CMRR)
      5. 7.3.5 Capacitive Load and Stability
      6. 7.3.6 EMI Susceptibility and Input Filtering
    4. 7.4 Device Functional Modes
    5. 7.5 Input and ESD Protection
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curve
    3. 8.3 System Examples
  9. Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example: Single Channel
    3. 10.3 Layout Example: Dual Channel
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 相关链接
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DCK|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

TLV600x-Q1 系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车 应用而设计。该系列具有轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流(典型值为 75µA)、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声(1kHz 时为 28nV/√Hz)等特性,因此对于需要在成本与性能之间实现良好平衡的 各种 汽车应用(如信息娱乐系统、发动机控制单元和汽车照明)而言很具有吸引力。低输入偏置电流(典型值为 ±1pA)使 TLV600x-Q1 适合用于 具有 兆欧级源阻抗的应用。

TLV600x-Q1 采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用:该器件在容性负载高达 150pF 的条件下具有单位增益稳定性,集成了射频/EMI 抑制滤波器,在过驱条件下无相位反转,并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

这些器件经过优化,适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作,并且具有 –40°C 至 +125°C 的额定扩展工作温度范围。

单通道 TLV6001-Q1 采用 SC70-5 封装,双通道 TLV6002-Q1 采用 SOIC 和 VSSOP 封装。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸(标称值)
TLV6001-Q1 SC70 (5) 2.00mm × 1.25mm
TLV6002-Q1 SOIC (8) 3.91mm × 4.90mm
VSSOP (8) 3.00mm × 3.00mm
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

CMRR 和 PSRR 与温度间的关系

TLV6001-Q1 TLV6002-Q1 C010_SBOS649.gif