ZHCSF25 May   2016 TLV521

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 技术规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议的运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 交流电气特性
    7. 6.7 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能 说明
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 输入级
      2. 7.4.2 输出级
  8. 8 应用 和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 驱动电容负载
      2. 8.1.2 EMI 抑制
    2. 8.2 典型 应用
      1. 8.2.1 60Hz 双 T 型陷波滤波器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 便携式气体检测传感器
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计流程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
      3. 8.2.3 高侧电池电流感应
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计流程
        3. 8.2.3.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局准则
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6 技术规格

6.1 绝对最大额定值(1)

在自然通风温度范围内运行（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
相对于 V– 的任何引脚 −0.3 6 V
IN+、IN–、OUT 引脚 V– – 0.3V V+ + 0.3V V
V+、V–、OUT 引脚 40 mA
差分输入电压（VIN+ - VIN–） -300 300 mV
结温 –40 150 °C
安装温度 红外或对流（30 秒） 260 °C
波峰铅焊温度（4 秒） 260 °C
存储温度，Tstg −65 150 °C
(1) 超出绝对最大额定值下列出的应力值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下的器件的功能性操作以及在超出推荐的操作条件下的任何其它操作，在此并未说明。在绝对最大额定值条件下长时间运行会影响器件可靠性。

6.2 ESD 额定值

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模式 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±2000 V
充电器件模式 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±1000
机器模型 ±200
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

6.3 建议的运行条件(1)

在自然通风温度范围内运行（除非另有说明）
最小值 最大值 单位
温度范围 −40 125 °C
电源电压 (VS = V+ - V−) 1.7 5.5 V
(1) 表示限值，如超出这些限值，则可能会发生损坏。 表示旨在让器件正常工作但无法确保特定性能的条件。有关保证的各种规格和测试条件，请参阅电气特性。

6.4 热性能信息

热指标(1) TLV521 单位
DCK (SC70)
5 引脚
RθJA 结至环境热阻 269.9 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 93.7 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 48.8 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 2 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 47.9 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参见《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。

6.5 电气特性

除非另有说明，否则所有限值均是针对以下条件：TA = 25°C、V+ = 3.3V、V− = 0V、VCM = VO = V+/2 且 RL > 1MΩ。(1)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VOS 输入失调电压 VCM = 0.3V -3 0.1 3 mV
VCM = 3V -3 0.1 3
TCVOS 输入失调电压漂移 ±1.5 μV/°C
IBIAS 输入偏置电流 1 pA
IOS 输入失调电流 50 fA
CMRR 共模抑制比 0V ≤ VCM ≤ 3.3V 70 90 dB
0V ≤ VCM ≤ 2.2V 100
PSRR 电源抑制比 V+ = 1.8V 至 3.3V；VCM = 0.3V 80 100 dB
CMVR 共模电压范围 CMRR ≥ 70dB 0 3.3 V
AVOL 大信号电压增益 VO = 0.5V 至 2.8V
RL = 100kΩ 且连接至 V+/2 		80 110 dB
VO 高输出摆幅 RL = 100kΩ 且连接至 V+/2
VIN（差分）= 100mV 		3 50 mV（与任一轨的差值）
低输出摆幅 RL = 100kΩ 且连接至 V+/2
VIN（差分）= −100mV 		2 50
IO 输出电流 拉电流，VO 至 V−
VIN（差分）= 100mV 		11 mA
灌电流，VO 至 V+
VIN（差分）= −100mV 		12
IS 电源电流 VCM = 0.3V 350 500 nA
(1) 电气特性 值仅适用于指示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自加热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的自加热条件下，参数性能（如电气表中所示）无法得到保证。 表示结温限值，超过这些限值，器件将会发生机械性或电气性的永久降级。

6.6 交流电气特性(1)

除非另有说明，否则所有限值均是针对以下条件：TA = 25°C、V+ = 3.3V、V− = 0V、VCM = VO = V+/2 且 RL > 1MΩ。
参数 测试条件 最小值
(2)		 典型值
(3)		 最大值
(2)		 单位
GBW 增益带宽积 CL = 20pF，RL = 100kΩ 6 kHz
SR 转换率 AV = +1，
VIN = 0V 至 3.3V		 下降沿 2.9 V/ms
上升沿 2.5
θ m 相补角 CL = 20pF，RL = 100kΩ 73 度
Gm 增益裕量 CL = 20pF，RL = 100kΩ 19 dB
en 输入参考电压噪声密度 f = 100Hz 300 nV/√Hz
输入参考电压噪声 0.1Hz 至 10Hz 22 μVPP
In 输入参考电流噪声 f = 100Hz 100 fA/√Hz
EMIRR EMI 抑制比，IN+ 和 IN−(4) VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 400MHz		 121 dB
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 900MHz		 121
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 1800MHz		 124
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 2400MHz		 142
(1) 电气特性 值仅适用于指示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自加热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的自加热条件下，参数性能（如电气表中所示）无法得到保证。 表示结温限值，超过这些限值，器件将会发生机械性或电气性的永久降级。
(2) 所有限值均经过测试、统计分析或设计方面的检验，可以得到保证。
(3) 典型值表示评定特性时最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。
(4) EMI 抑制比被定义为：EMIRR = 20log (VRF_PEAK/ΔVOS)。

6.7 典型特性

TJ = 25°C 时测得的值（除非另有说明）。
TLV521 30054504.gif Figure 1. 电源电流与电源电压间的关系
TLV521 30054575.gif Figure 3. 失调电压分布图
TLV521 30054537.gif Figure 5. 输入失调电压与电源电压间的关系
TLV521 30054540.gif Figure 7. 输入失调电压与输出电压间的关系
TLV521 30054546.gif Figure 9. 输入失调电压与灌电流间的关系
TLV521 30054511.gif Figure 11. 灌电流与输出电压间的关系
TLV521 30054549.gif Figure 13. 灌电流与电源电压间的关系
TLV521 30054551.gif Figure 15. 低输出摆幅与电源电压间的关系
TLV521 30054564.gif Figure 17. 输入偏置电流与共模电压间的关系
TLV521 30054560.gif Figure 19. CMRR 与频率间的关系
TLV521 30054521.gif Figure 21. 频率响应与 RL 间的关系
TLV521 30054536.gif Figure 23. 转换率与电源电压间的关系
TLV521 30054532.gif Figure 25. 大信号脉冲响应
TLV521 30054534.gif
Figure 27. 过载恢复波形
TLV521 30054535.gif Figure 2. 电源电流与电源电压间的关系
TLV521 30054505_new.gif Figure 4. 输入失调电压与输入共模电压间的关系
TLV521 30054538.gif Figure 6. 输入失调电压与电源电压间的关系
TLV521 30054543.gif Figure 8. 输入失调电压与拉电流间的关系
TLV521 30054510.gif Figure 10. 拉电流与输出电压间的关系
TLV521 30054548.gif Figure 12. 拉电流与电源电压间的关系
TLV521 30054550.gif Figure 14. 高输出摆幅与电源电压间的关系
TLV521 30054516.gif Figure 16. 输入偏置电流与共模电压间的关系
TLV521 30054527.gif Figure 18. PSRR 与频率间的关系
TLV521 30054524.gif Figure 20. 频率响应与温度间的关系
TLV521 30054518.gif Figure 22. 频率响应与 CL 间的关系
TLV521 30054562.gif Figure 24. 0.1 至 10Hz 时域电压噪声
TLV521 30054533.gif Figure 26. 大信号脉冲响应
TLV521 30054572.gif Figure 28. EMIRR 与频率间的关系