ZHCSYJ8E January   2005  – July 2025 TLV341 , TLV341A , TLV342 , TLV342S

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息：TLV341
    5. 5.5  热性能信息：TLV342
    6. 5.6  热性能信息：TLV342S
    7. 5.7  电气特性：V+ = 1.8V
    8. 5.8  电气特性：V+ = 5V
    9. 5.9  关断特性：V+ = 1.8V
    10. 5.10 关断特性：V+ = 5V
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 PMOS 输入级
      2. 6.3.2 CMOS 输出级
      3. 6.3.3 关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 1.8V 和 5V 性能
  • 低失调电压（A 级）
    • 最大值 1.25mV (25°C)
    • 最大值 1.7mV（–40°C 至 125°C）
  • 轨到轨输出摆幅
  • 宽共模输入电压范围：–0.2V 至 (V+ - 0.5V)
  • 输入偏置电流：1pA（典型值）
  • 输入失调电压：0.3mV（典型值）
  • 低电源电流：70μA/通道
  • 低关断电流：
    每通道 10pA（典型值）
  • 增益带宽：2.3MHz（典型值）
  • 压摆率：0.9V/μs（典型值）
  • 关断后的导通时间：5μs（典型值）
  • 输入参考电压噪声（10kHz 时）：
    20nV/√ Hz
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求：
    • 2000V 人体放电模式 (HBM)
    • 750V 充电器件模型 (CDM)