ZHCSYJ8E January   2005  – July 2025 TLV341 , TLV341A , TLV342 , TLV342S

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息:TLV341
    5. 5.5  热性能信息:TLV342
    6. 5.6  热性能信息:TLV342S
    7. 5.7  电气特性:V+ = 1.8V
    8. 5.8  电气特性:V+ = 5V
    9. 5.9  关断特性:V+ = 1.8V
    10. 5.10 关断特性:V+ = 5V
    11. 5.11 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 PMOS 输入级
      2. 6.3.2 CMOS 输出级
      3. 6.3.3 关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性:V+ = 5V

V+ = 5V,GND = 0V,VIC = VO = V+/2,RL > 1MΩ(除非另有说明)。请参阅 节 5.10。
参数测试条件TA最小值典型值(1)最大值单位
VIO输入失调电压标准等级25°C0.34mV
完整范围4.5
A 级25°C0.31.25
0°C 至 125°C0.31.5
-40°C 至 125°C0.31.7
αVIO输入失调电压的平均温度系数完整范围1.9μV/°C
IIB输入偏置电流25°C1200pA
-40°C 至 85°C375
-40°C 至 125°C3000
IIO输入失调电流25°C6.6fA
CMRR共模抑制比0 ≤ VICR ≤ 4.4V25°C7590dB
完整范围70
kSVR电源电压抑制比1.8V ≤ V+ ≤ 5V25°C7595dB
完整范围65
VICR共模输入电压范围CMRR ≥ 70dB25°C04.4V
AV大信号电压增益(1)RL = 10kΩ(连接至 2.5V)25°C80110dB
完整范围70
RL = 2kΩ(连接至 2.5V)25°C75105
完整范围60
VO输出摆幅
(相对于电源轨的偏差)
RL = 2kΩ(连接至 2.5V)低电平25°C4060mV
完整范围85
高电平25°C2560
完整范围85
RL = 10kΩ(连接至 2.5V)低电平25°C1830
完整范围40
高电平25°C715
完整范围20
ICC电源电流(每通道)25°C150200μA
完整范围215
IOS输出短路电流拉电流25°C60113mA
灌电流80115
SR压摆率RL = 10kΩ(1)25°C1V/μs
GBW单位增益带宽RL = 10kΩ,CL = 200pF25°C2.3MHz
φm相位裕度RL = 100kΩ,CL = 200pF25°C55°
Gm增益裕度RL = 100kΩ,CL = 200pF25°C15dB
Vn等效输入噪声电压f = 1kHz25°C33nV/√Hz
In等效输入噪声电流f = 1kHz25°C0.001pA/√ Hz
THD总谐波失真f = 1kHz,AV = 1,RL = 600Ω,
VI = 1VPP
25°C0.012%