ZHCSYK7B August 1997 – July 2025 TLV2721
PRODUCTION DATA
TLV2721 旨在驱动比大多数 CMOS 运算放大器更大的容性负载。图 5-27 至图 5-28 展示示了驱动大于 100pF 的负载并同时保持良好的增益裕度和相位裕度 (Rnull = 0Ω) 的能力。
器件输出端(图 7-1)的小串联电阻器 (Rnull) 可在驱动大容性负载时改善增益裕度和相位裕度。图 5-27 和图 5-28 展示了增加 100Ω、200Ω、500Ω 和 1kΩ 串联电阻的影响。增加该串联电阻器有两个影响:第一个影响是电阻器向传递函数中增加一个零点,第二个影响是电阻器降低与传递函数中的输出负载相关的极点频率。
引入传递函数的零点等于串联电阻乘以负载电容。要计算相位裕度的近似改善,请使用以下公式:
其中:
∆φm1 = 相位裕度的改善
UGBW = 单位增益带宽频率
Rnull = 输出串联电阻
CL = 负载电容
单位增益带宽 (UGBW) 频率随着容性负载的增加而降低。要使用方程式 1,请近似计算图 7-1 中给定容性负载的 UGBW。
TLV2721 旨在提供比早期 CMOS 轨到轨输出器件更好的灌电流和拉电流输出。该器件能够在 VDD = 5V 时,以 200µA 的最大静态 IDD,产生 500µA 灌电流和 1mA 拉电流。这样可以提供大于 80% 的电源效率。
驱动重直流负载(如 2kΩ)时,压摆条件下的正边会出现一些失真;另请参阅图 5-22。这种情况受三个因素的影响: