ZHCSYK7B August   1997  – July 2025 TLV2721

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 电气特性 VS = 3V
    5. 5.5 电气特性 VS = 5V
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动大容性负载
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

驱动大容性负载

TLV2721 旨在驱动比大多数 CMOS 运算放大器更大的容性负载。图 5-27图 5-28 展示示了驱动大于 100pF 的负载并同时保持良好的增益裕度和相位裕度 (Rnull = 0Ω) 的能力。

器件输出端(图 7-1)的小串联电阻器 (Rnull) 可在驱动大容性负载时改善增益裕度和相位裕度。图 5-27图 5-28 展示了增加 100Ω、200Ω、500Ω 和 1kΩ 串联电阻的影响。增加该串联电阻器有两个影响:第一个影响是电阻器向传递函数中增加一个零点,第二个影响是电阻器降低与传递函数中的输出负载相关的极点频率。

引入传递函数的零点等于串联电阻乘以负载电容。要计算相位裕度的近似改善,请使用以下公式:

方程式 1. ϕ m 1 = tan - 1 ( 2 π × U G B W × R n u l l × C L )

其中:

∆φm1 = 相位裕度的改善

UGBW = 单位增益带宽频率

Rnull = 输出串联电阻

CL = 负载电容

单位增益带宽 (UGBW) 频率随着容性负载的增加而降低。要使用方程式 1,请近似计算图 7-1 中给定容性负载的 UGBW。

TLV2721 串联电阻电路图 7-1 串联电阻电路

TLV2721 旨在提供比早期 CMOS 轨到轨输出器件更好的灌电流和拉电流输出。该器件能够在 VDD = 5V 时,以 200µA 的最大静态 IDD,产生 500µA 灌电流和 1mA 拉电流。这样可以提供大于 80% 的电源效率。

驱动重直流负载(如 2kΩ)时,压摆条件下的正边会出现一些失真;另请参阅图 5-22。这种情况受三个因素的影响:

  • 负载以何为基准。当负载以任一电源轨为基准时,不会发生这种情况。仅当输出信号通过负载基准点摆动时才会发生失真。图 5-23 展示了两种 2kΩ 负载情况。第一种负载情况显示了当 2kΩ 负载连接到 2.5V 时出现的失真。图 5-23 中的第三种负载情况显示连接到 0V 的 2kΩ 负载没有失真。
  • 负载电阻。随着负载电阻增加,输出端的失真会减少。图 5-23 显示了 2kΩ 负载和 100kΩ 负载(两者都连接到 2.5V)在输出端的差异。
  • 输入信号边沿速率。与输入边沿速率较慢相比,阶跃输入的输入边沿速率较快会导致更多失真。