ZHDS306E October   1987  – July 2026 TLC27M4 , TLC27M4A , TLC27M4B , TLC27M9

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  功耗额定值
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  电气特性 - TLC27M4C 5V
    5. 6.5  电气特性 - TLC27M4C 10V
    6. 6.6  电气特性 - TLC27M4I 5V
    7. 6.7  电气特性 - TLC27M4I 10V
    8. 6.8  电气特性 - TLC27M4M 5V
    9. 6.9  电气特性 - TLC27M4M 10V
    10. 6.10 工作特性 - TLC27M4
    11. 6.11 工作特性 - TLC27M4M 5V
    12. 6.12 工作特性 - TLC27M4M 10V
    13. 6.13 典型特性
    14. 6.14 新旧芯片比较
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 单电源与双电源测试电路
    2. 7.2 输入偏置电流
    3. 7.3 低电平输出电压
    4. 7.4 输入偏移电压温度系数
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 单电源供电
      2. 8.1.2 输入特性
      3. 8.1.3 噪声性能
      4. 8.1.4 输出特征
      5. 8.1.5 反馈
      6. 8.1.6 静电放电保护
      7. 8.1.7 闩锁效应
    2. 8.2 典型应用
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|14
  • N|14
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (October 2012)to RevisionE (July 2026)

  • 在文档标题中添加了器件名称Go
  • 将修整后的偏移电压从 ±900μV 更改至 ±300μVGo
  • 将低功耗从 2.1mW 更改至静态电流 120μAGo
  • 将高输入阻抗从 1012Ω 更改为 6TΩGo
  • 删除了共模输入电压范围Go
  • 删除了“输出电压范围包括负电源导轨”Go
  • 删除了小外形封装选项Go
  • 添加了应用部分Go
  • 添加了“器件信息”表Go
  • 删除了TLC27M4Y 芯片信息 一节Go
  • 删除了流入 VDD 的总电流Go
  • 删除了流出 GND 的总电流Go
  • 删除了持续总功耗Go
  • 删除了 60 秒内的外壳温度Go
  • 将输出电流从 ±30mA 更改至连续输出短路电流Go
  • 将 TLC27M4C 的输入偏移电压从 1.1mV 更改至 ±0.3mVGo
  • 将 TLC27M4AC 的输入偏移电压从 0.9mV 更改至 ±0.3mVGo
  • 将 TLC274BC 的输入偏移电压从 250μV 更改至 ±300μVGo
  • 将 TLC279C 的输入偏移电压典型值从 210μV 更改至 ±300μVGo
  • 将 TLC279C 的输入偏移电压最大值从 900μV 更改至 1500μVGo
  • 删除了 VIO、IIO 和 IIB 的测试条件Go
  • 将共模抑制比从 91dB 更改至 80dB,电源电压抑制比Go
  • 将电源电压抑制比从 93dB 更改至 140dB(25°C 时)和 120dB(0°C 和 70°C 时)Go
  • 将输入电压的平均温度系数从 2.1μV/°C 更改至 ±0.75μV/°CGo
  • 将输入偏移电流从 0.1pA 更改至 ±5pAGo
  • 将输入偏置电流从 0.7pA 更改至 ±10pAGo
  • 将共模输入电压范围从 -0.3V 更改至 -0.2VGo
  • 将高电平输出电压从 8.7V 更改至 9.95VGo
  • 将大信号差分电压放大系数从 275V/mV 更改至 1000V/mVGo
  • 删除了 TA = 0°C 和 70°C 时的值Go
  • 将 100mV 时的压摆率从 0.43V/μs 更改至 0.5V/μsGo
  • 将 1V 时的压摆率从 0.40V/μs 更改至 4.5V/μsGo
  • 将压摆率中的 RL 从 100kΩ 更改至 10kΩGo
  • 将最大输出摆幅带宽从 55kHz 更改至 40kHzGo
  • 将相位裕度从 40° 更改至 60°Go
  • 合并了 5V 和 10V 工作特性表Go
  • 更新了包含新裸片特性的曲线图Go
  • 添加了新旧裸片比较 一节Go
  • 删除了全功率响应 和测试时间 部分Go
  • 删除了“电容性负载和测试电路的影响”、“使用电阻上拉以提高 VOH”以及“输入电容补偿”等图示Go
  • 删除了有关增强电流容量的文本Go
  • 添加了“输入电容补偿”图示Go
  • 删除了“维恩振荡器”、“高精度小电流灌电流”、“麦克风前置放大器”、“具有环境光抑制功能的光电二极管放大器”、“低功耗稳压器”和“单轨交流放大器”的图示Go
  • 添加了典型应用 部分Go
  • 向典型应用 一节增添了“高精度小电流灌电流”、“麦克风前置放大器”、“具有环境光抑制功能的光电二极管放大器”、“5V 低功耗稳压器”和“单轨交流放大器”的图示。Go