ZHDS199 April   2026 TDEL1G533-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4.   4
  5. 3 说明
  6. 4 引脚配置和功能
  7. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序特性
    7.     14
    8. 5.7 开关特性
    9. 5.8 典型特性
  8. 6 参数测量信息
  9. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3.     21
    4. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 命名约定
      2. 7.3.2 时序机制和精度
      3. 7.3.3 CMOS 推挽式输出
      4. 7.3.4 开漏 CMOS 输出
      5. 7.3.5 CMOS 施密特触发输入
      6. 7.3.6 具有已知上电状态的锁存逻辑
      7. 7.3.7 钳位二极管结构
    5.     30
    6. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 启动操作
      2. 7.4.2 导通状态运行
  10. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 电源注意事项
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  11. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  12. 10修订历史记录
  13. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4.2 导通状态运行

下表列出了 TDEL1G533-Q1 的导通功能模式。

表 7-1 功能表
输入(1) 输出(2)
RST T T Q' Q Q PT
H X X X L H L
L L H L L H L(3)
L L H H H L L(3)
L H L L L H L(3)
L H L H H L L(3)
L H H L H L Z
L L L L H L Z
L H H H L(4) H(4) Z
L L L H L(4) H(4) Z
(1) H = 高电压电平，L = 低电压电平，Q'= 上一个 Q 状态
(2) L = 驱动为低电平，H = 驱动为高电平，Z = 高阻态
(3) 在释放输入并达到预配置的去抖延迟时间后，PT 输出会保持高阻抗状态。
(4) 当输入保持在所述条件下并达到预设的关断延迟时间后，Q 和 Q 输出将变为所示状态。