ZHCSTD0A October   2023  – April 2024 SN74LVC2G100-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序特性
    8. 5.8 噪声特性
    9. 5.9 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 CMOS 施密特触发输入
      2. 7.3.2 平衡 CMOS 推挽式输出
      3. 7.3.3 钳位二极管结构
      4. 7.3.4 可润湿侧翼
    4. 7.4 器件功能模式
    5. 7.5 组合逻辑配置
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 电源注意事项
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • BQB|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.1 CMOS 施密特触发输入

此器件包括具有施密特触发架构的输入。这些输入为高阻抗，通常建模为从输入到接地的电阻器并与输入电容并联，如电气特性 表中所示。最坏情况下的电阻是根据绝对最大额定值 表中给出的最大输入电压和电气特性 表中给出的最大输入漏电流，使用欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。

施密特触发输入架构可提供由电气特性 表中的 ΔVT 定义的迟滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。虽然输入的驱动速度可能比标准 CMOS 输入慢得多，但仍建议正确端接未使用的输入。用缓慢的转换信号驱动输入会增加器件的动态电流消耗。有关施密特触发输入的更多信息，请参阅了解施密特触发。