ZHDS509D
July 2003 – October 2026
SN74CB3Q3245
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
说明
3
引脚配置和功能
4
规格
4.1
绝对最大额定值
4.2
ESD 等级
4.3
建议运行条件
4.4
热性能信息
4.5
电气特性
4.6
开关特性
4.7
典型特性
5
参数测量信息
6
器件和文档支持
6.1
接收文档更新通知
6.2
支持资源
6.3
商标
6.4
静电放电警告
6.5
术语表
7
修订历史记录
8
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
PW|20
MPDS362A
DBQ|20
MPDS210A
RGY|20
MPQF116H
DGV|20
MPDS006C
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhds509d_oa
zhds509d_pm
1
特性
高带宽数据路径
(高达 500MHz)
等效于 IDTQS3VH384 器件
可耐受 5V 电压并支持器件上电或断电的 I/O
在整个工作范围内具有低且平坦的导通电阻 (r
on
) 特性
(r
on
典型值 = 4Ω)
支持在数据 I/O 端口进行轨到轨开关
3.3V V
CC
时,开关范围为 0 至 5V
2.5V V
CC
时,开关范围为 0 至 3.3V
具有接近零传播延迟的双向数据流
低输入/输出电容可更大程度减小负载和信号失真
(C
io(OFF)
典型值 = 3.5pF)
快速开关频率(f
OE
最大值 = 20MHz)
数据与控制输入提供下冲钳位二极管
低功耗(I
CC
典型值 = 1mA)
V
CC
工作范围为 2.3V 至 3.6V
数据 I/O 支持 0 至 5V 信号电平(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V)
控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
I
off
支持局部断电模式运行
闩锁性能超过 100mA,
符合 JESD 78 II 类规范的要求
ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
2000V 人体放电模型
(A114B,II 类)
1000V 充电器件模型 (C101)
支持数字和模拟应用:PCI 接口、差分信号接口、存储器交错、总线隔离、低失真信号门控