ZHCSJ41 December   2018 SN55HVD233-SEP

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 修订历史记录
  5. 说明 (续)
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Driver Electrical Characteristics
    6. 7.6  Receiver Electrical Characteristics
    7. 7.7  Driver Switching Characteristics
    8. 7.8  Receiver Switching Characteristics
    9. 7.9  Device Switching Characteristics
    10. 7.10 Typical Characteristics
  8. Parameter Measurement Information
  9. Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Modes
      2. 9.3.2 Loopback
      3. 9.3.3 CAN Bus States
      4. 9.3.4 ISO 11898 Compliance of SN55HVD233-SEP
        1. 9.3.4.1 Introduction
        2. 9.3.4.2 Differential Signal
          1. 9.3.4.2.1 Common-Mode Signal
        3. 9.3.4.3 Interoperability of 3.3-V CAN in 5-V CAN Systems
      5. 9.3.5 Thermal Shutdown
    4. 9.4 Device Functional Modes
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
      1. 10.1.1 Diagnostic Loopback
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Slope Control
        2. 10.2.2.2 Standby
      3. 10.2.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
      1. 12.1.1 Bus Loading, Length, and Number of Nodes
      2. 12.1.2 CAN Termination
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 接收文档更新通知
    2. 13.2 社区资源
    3. 13.3 商标
    4. 13.4 静电放电警告
    5. 13.5 术语表
  14. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • VID V62/18617
  • 耐辐射
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg
    • 在高达 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
    • 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 20krad(Si)
  • 增强型航天塑料
    • 受控基线
    • 金线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 同一组装和测试场所
    • 同一制造场所
    • 支持军用(-55°C 至 125°C)温度范围
    • 延长的产品生命周期
    • 延长的产品变更通知
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型模具化合物实现低释气
  • 符合 ISO 11898-2 标准
  • 总线引脚故障保护大于 ±16V
  • 总线引脚 ESD 保护大于 ±14kV HBM
  • 数据传输速率高达 1Mbps
  • 扩展级共模范围:–7V 至 12V
  • 高输入阻抗支持 120 个节点
  • LVTTL I/O 可承受 5V 的电压
  • 可调节的驱动器传输次数,用于改善信号质量
  • 未供电节点不会干扰总线
  • 低电流待机模式,200µA(典型值)
  • 诊断回送功能
  • 热关断保护
  • 加电和断电无干扰总线输入和输出
    • 具有低 VCC 的高输入阻抗
    • 功率循环过程中单片输出