ZHCSHS0E September   2003  – December 2024 REF1112

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 并联稳压器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
      2. 7.2.2 微功耗 3μA、1V 电压基准
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 1μA 下的 2.5V 基准电压
        1. 7.2.3.1 设计要求
        2. 7.2.3.2 详细设计过程
      4. 7.2.4 可调节电压并联基准
      5. 7.2.5 用于实现完整 ADC 输入范围的电平位移
      6. 7.2.6 稳定电流源
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

VR = 1.25V，TA = +25°C，IREF = 1.2μA 且 CLOAD = 10nF，除非另有说明。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VR反向击穿电压IREF = 1.2µA1.24751.251.2525V
-0.2%0.2%
ΔVR温度系数1.2μA ≤ IREF ≤ 5mA，TA = 0°C 至 +70°C1030ppm/°C
1.5μA ≤ IREF ≤ 5mA，TA = -40°C 至 +85°C1550
1.5μA ≤ IREF ≤ 5mA，TA = -40°C 至 +125°C15
IRMIN最小工作电流11.2µA
ΔVR/ΔIR反向击穿电压随电流的变化而变化1.2μA ≤ IREF ≤ 5mA100150ppm/mA
ZR反向动态阻抗1.2μA ≤ IREF ≤ 5mA0.1350.2Ω
eN低频噪声(1)0.1Hz ≤ IREF ≤ 10Hz25μVPP
VHYST热迟滞(2)100ppm
ΔVR长期稳定性+25°C ± 0.1°C60ppm/kHr
(1) 峰峰值噪声是使用 0.1Hz 2 极高通滤波器和 10Hz 4 极低通切比雪夫滤波器测量的。
(2) 热迟滞的定义为在 +25°C 温度下运行器件，在额定温度范围内循环器件，然后返回 +25°C 后，输出电压的变化。