4 修订历史记录
Changes from D Revision (September 2015) to E Revision
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已将 PW 封装从产品预览改为量产数据Go
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将 PW 封装添加到输入失调电压漂移测试条件中Go
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将 PW 封装添加到输入失调电压漂移测试条件中Go
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将 PW 封装条件添加到 Figure 8 Go
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将 PW 封装条件添加到 Figure 10 Go
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将 PW 封装条件添加到 Figure 52 Go
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更改Figure 71 以修正键入错误Go
Changes from C Revision (March 2015) to D Revision
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已将器件状态改为量产数据；OPA4192 发布为量产数据Go
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删除了器件信息表Go
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已删除引脚配置和功能一节中的脚注 2Go
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更改 ESD 等级表：增加修正的 OPA4192 CDM 规格Go
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增加频率响应、串扰 参数到 电气特性：VS = ±4V 至 ±18V 表 Go
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增加频率响应、串扰 参数到 电气特性：VS = ±2.25V 至 ±4V 表 Go
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更改 典型特性 为电流标准（将图形的曲线和表分成单独的部分以符合 SDS 要求）Go
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将串扰与频率行添加到Table 1 Go
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增加 Figure 48 Go
Changes from B Revision (March 2014) to C Revision
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在 ESD 等级表中增加针对 OPA2192、OPA4192 的 CDM 行Go
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更改 VCM ≥ (V+) – 1.5V 测试条件的输入失调电压值Go
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更改 VCM = (V+) – 1.5V 测试条件输入失调电压参数典型规格 Go
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更改 dVOS/dT 参数的测试条件Go
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更改 VCM = (V+) – 3V 测试条件的输入失调电压最大值和测试条件Go
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更改 VCM = (V+) – 1.5V 测试条件的输入失调电压值和测试条件Go
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更改 VCM = (V+) – 1.5V 测试条件的输入失调电压参数典型规格Go
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更改 dVOS/dT 参数的测试条件 Go
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在布局指南一节的最后一个项目符号中增加文本Go
Changes from A Revision (January 2014) to B Revision
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已添加“ESD 额定值”和“建议运行条件”表，参数测量信息，应用和实施，电源相关建议以及器件和文档支持部分，并已移动现有部分Go
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已将所有 OPA192 和 OPA2192 封装改为量产数据。Go
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已根据最新标准更改了封装名称；将所有 MSOP 更改为 VSSOP，所有 SO 更改为 SOIC，所有 SOT23 更改为 SOTGo
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删除了 DCK 封装引脚配置Go
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增加有关 OPA192 DBV 和 DGK 封装的热性能信息Go
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增加 OPA2192 和 OPA4192 热性能信息表 Go
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在输入失调电压参数中增加包含附加测试条件的行Go
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更改输入失调电压漂移参数 Go
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更改 CMRR 测试条件 Go
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在输入失调电压参数中增加包含附件测试条件的行Go
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更改输入失调电压漂移参数Go
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更改 PSSR 参数 Go
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更改 CMRR 测试条件 Go
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增加输出一节Go
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将典型特性曲线添加到Table 1 Go
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在典型特性条件行中增加 TA = 25°C Go
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将九个新的直方图从Figure 2 添加到Figure 10Go
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更改Figure 11 以显示更多单元Go
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已更改Figure 19Go
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在应用信息一节增加文本Go
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更改布局准则一节中的文本Go
Changes from * Revision (December 2013) to A Revision
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更改 16 位精度多路复用数据采集系统 一节的第一段Go
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更改Figure 66 和标题Go
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更改 TIDU181 参考设计标题Go