ZHCSSC6D February   2023  – October 2025 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源斜坡
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
        1. 7.9.1.1 SYSOSC 典型频率精度
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
    13. 7.13 典型连接图
    14. 7.14 温度传感器
    15. 7.15 VREF
      1. 7.15.1 电压特性
      2. 7.15.2 电气特性
    16. 7.16 GPAMP
      1. 7.16.1 电气特性
      2. 7.16.2 开关特性
    17. 7.17 I2C
      1. 7.17.1 I2C 时序图
      2. 7.17.2 I2C 特性
      3. 7.17.3 I2C 滤波器
    18. 7.18 SPI
      1. 7.18.1 SPI
      2. 7.18.2 SPI 时序图
    19. 7.19 UART
    20. 7.20 TIMx
    21. 7.21 仿真和调试
      1. 7.21.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DGS|28
  • PM|64
  • RHB|32
  • RGE|24
  • RGZ|48
  • PT|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.15.2 电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
IVREF VREF 工作电源电流 BUFCONFIG = {0, 1}，无负载 189 330 µA
IDrive VREF 输出驱动强度 (1) VREF+ 器件引脚上支持的驱动强度 100 µA
ISC VREF 短路电流 100 mA
TCVREF VREF（带隙 + VRBUF）的温度系数(2) BUFCONFIG = {1} 80 ppm/°C
TCVREF VREF（带隙 + VRBUF）的温度系数(2) BUFCONFIG = {0} 80 ppm/°C
TCdrift 长期 VREF 漂移 时间 = 1000 小时，BUFCONFIG = {0, 1}，T = 25℃ 300 ppm
PSRRDC VREF 电源抑制比（直流） VDD = 1.7V 至 VDDmax，BUFCONFIG = 1 57 63 dB
VDD = 2.7V 至 VDDmax，BUFCONFIG = 0 49 53
Vnoise VREF 输出端的 RMS 噪声（0.1Hz 至 100MHz） BUFCONFIG = 1 500 µVrms
BUFCONFIG = 0 900
CVREF VREF+ 引脚上推荐的 VREF 去耦电容器 (3) (4) (5) 0.7 1 1.15 µF
Tstartup VREF 启动时间 BUFCONFIG = {0, 1}，VDD = 2.8V，CVREF = 1µF 200 µS
Trefresh VREF 外部电容器刷新时间 31.25
(1) 无论器件中使用何种外设，均支持指定的 MAX 输出驱动强度。
(2) VREF 输出的温度系数是 TCVRBUF 与内部带隙基准的温度系数之和。
(3) 使用内部电压基准 VREF 时，需要去耦电容器 (CVREF)，并且应将 VREF+ 引脚连接到 VREF-/GND。当使用 VREF+/- 引脚为外部基准供电时，应根据外部基准源选择去耦电容值。
(4) 最好使用封装尺寸为 0805 或更小的陶瓷电容器。可接受高达 ±20% 的容差。
(5) VREF 模块应仅在连接 CVREF 时启用，否则不应启用。