ZHDS276
June 2026
LMP8601
,
LMP8602
,
LMP8603
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
引脚配置和功能
5
规格
5.1
绝对最大额定值
5.2
ESD 等级
5.3
建议运行条件
5.4
热性能信息
5.5
电气特性: Vs = 3.3V
5.6
电气特性:Vs = 5V
5.7
典型特性
6
详细说明
6.1
概述
6.1.1
工作原理
6.2
功能方框图
6.3
特性说明
6.3.1
偏移输入引脚
6.3.2
额外二阶低通滤波器
6.4
器件功能模式
6.4.1
增益调整
6.4.1.1
降低增益
6.4.1.2
增益增加
6.4.2
驱动开关电容负载
7
应用和实施
7.1
典型应用
7.1.1
高侧电流检测应用
7.1.1.1
设计要求
7.1.1.2
详细设计过程
7.1.1.3
应用曲线
7.1.2
低侧电流检测应用
7.1.3
电池电流监控器应用
7.1.4
高级电池充电器应用
7.1.5
电流环路接收器应用
7.1.6
电源相关建议
7.1.7
布局
7.1.7.1
布局指南
7.1.7.2
布局示例
8
器件和文档支持
8.1
器件支持
8.1.1
开发支持
8.2
文档支持
8.2.1
相关文档
8.2.2
相关链接
8.3
接收文档更新通知
8.4
支持资源
8.5
商标
8.6
静电放电警告
8.7
术语表
9
修订历史记录
10
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
D|8
MSOI002K
DGK|8
MPDS028E
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhds276_oa
zhds276_pm
9
修订历史记录
日期
修订版本
注释
June 2026
*
此数据表的初始发行版,删除了汽车类数据表中的商用器件 (
SNOSAR2
)。
LMP860x 器件从 SNOSAR2 "I" 版本数据表移至当前的独立数据表。从 SNOSAR2 "I" 版本到本文档的更改如下:
更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式。
删除了
特性
部分中的 ESD 分类。
在
应用
部分中使用链接更新了应用。
在
绝对最大额定值
表中添加了绝对最大差分输入电压规格。
从
ESD 等级
表中删除了机器型号 ESD 等级。
更新了
热性能信息
表中 D (SOIC) 封装的热性能规格。
更改了
电气特性: V
s
= 3.3V
表中 SOIC (D) 封装的共模输入阻抗。
更改了
电气特性: V
s
= 3.3V
表中 SOIC (D) 封装的差模输入阻抗。
更改了
电气特性: V
s
= 3.3V
表中的典型输入偏置电流规格。
更改了
电气特性:V
s
= 5V
表中 SOIC (D) 封装的共模输入阻抗。
更改了
电气特性:V
s
= 5V
表中 SOIC (D) 封装的差模输入阻抗。
更改了
电气特性:V
s
= 5V
表中的典型输入偏置电流规格。
更改了
典型特性
中 VS = 5V 时不同温度下的输入偏置电流(A2 引脚)曲线。
在
典型特性
中添加了 SOIC (D) 封装在 Vs = 3.3V 和 Vs =5V 时的 Vos 分布图。
在
典型特性
中添加了 SOIC (D) 封装的 Vos 漂移与温度间的关系图。
在
典型特性
中添加了 SOIC (D) 封装的增益误差分布图。
在
典型特性
中添加了 SOIC (D) 封装的增益漂移与温度间的关系图。
在
典型特性
中添加了 SOIC (D) 封装的 CMMR 分布图。
在
典型特性
中添加了 SOIC (D) 封装的 CMRR 漂移与温度间的关系图。
添加了
相关文档
部分。