ZHCSXV5 January 2025 LMG2652
PRODUCTION DATA
内部自举二极管功能通过智能开关 GaN 自举 FET 实现。当 GaN 自举 FET 关断时，GaN 自举 FET 会在 AUX 和 BST 之间的两个方向上阻断电流。
自举二极管功能在低侧 GaN 功率 FET 导通时激活，在低侧 GaN 功率 FET 关断时停用。GaN 自举 FET 在自举二极管非活动阶段保持关断。GaN 自举 FET 在自举活动阶段开始时一次性导通，并被控制为理想二极管，二极管电流从 AUX 流向 BST 为 BST 至 SW 电容器充电。如果在 GaN 自举 FET 导通后检测到从 BST 至 AUX 的小反向电流，则在自举活动阶段的剩余时间内，GaN 自举 FET 将关断。
当 BST 至 SW 电容器在自举活动阶段开始时严重放电时，自举二极管功能会实现限流功能以保护 GaN 自举 FET。如果在 GaN 自举 FET 导通期间没有电流限制情况，或者自举功能在 BST 至 SW 电容器充电时超出电流限制，则在 GaN 自举 FET 导通时间的剩余时间内会禁用电流限制功能。电流限制功能被禁用以节省静态电流。