ZHCSYO7Q April   2000  – July 2025 LM317M , LM317MQ

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性(旧芯片和新芯片)
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电流限值
      2. 6.3.2 压降电压 (VDO)
      3. 6.3.3 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  输入和输出电容器要求(旧芯片)
        2. 7.2.2.2  输入和输出电容器要求(新芯片)
        3. 7.2.2.3  反馈电阻器
        4. 7.2.2.4  调节引脚电容器
        5. 7.2.2.5  保护二极管
        6. 7.2.2.6  过载恢复
        7. 7.2.2.7  估算结温
        8. 7.2.2.8  极性反转保护
        9. 7.2.2.9  反向电流
        10. 7.2.2.10 功率耗散 (PD)
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性(旧芯片和新芯片)

在建议的工作虚拟结温范围内测得,TJ =–40°C 至 125°C,VI–VO = 5V,IO = 0.1A(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
线性调整率 VI –VO = 3V 至 40V TJ = 25°C 旧芯片和新芯片 0.01 0.04 %/V
旧芯片和新芯片 0.02 0.07
负载调整率 IO = 10mA 至 500mA TJ = 25°C 旧芯片 0.1 0.5 %
新芯片 0.1 0.24
旧芯片 0.3 1.5
新芯片 0.1 0.8
ADJUST 端子电流 旧芯片 50 100 uA
新芯片 45 65
ADJUST 端子电流的变化 VI–VO = 3V 至 40V,
IO = 10mA 至 500mA
旧芯片 0.2 5 uA
VI–VO = 3V 至 15V,IO = 10mA 至 500mA
VI–VO = 15V 至 40V,IO = 100mA
新芯片 0.2 5 uA
基准电压 VI–VO = 3V 至 40V,
IO = 10mA 至 500mA
旧芯片 1.2 1.25 1.3 V
VI–VO = 3V 至 15V,IO = 10mA 至 500mA
VI–VO = 15V 至 40V,IO = 100mA
新芯片 1.2 1.25 1.3 V
维持稳压所需的最小负载电流 旧芯片 3.5 10 mA
新芯片 1.1 2 3.5
输出电压温度稳定性 旧芯片和新芯片 0.7 %
最大输出电流 VI–VO ≤ 15V 旧芯片 500 900 mA
新芯片 500 1000 1600
VI–VO = 40V,PD ≤ PD (max)(1) TJ = 25°C 旧芯片 150 250
新芯片 110 220 350
RMS 输出噪声电压(占 VO 的百分比) f = 10Hz 至 10kHz, TJ = 25°C 旧芯片和新芯片 0.003 %VO
长期稳定性 TJ = 25°C 旧芯片 0.3 1 %/1k 小时
IO = 10mA TJ = 25°C 新芯片 0.3 1
纹波抑制 V= 10V,f = 120Hz,CADJ = 0 TJ = 25°C 旧芯片 65 dB
新芯片 65
VO = 10V,f = 120Hz,CADJ = 10µF TJ = 25°C 旧芯片 66 80
新芯片 66 80
最大功耗是与 TJ(max)、θJA 和 TA 相关的函数。在任何允许的环境温度下,最大允许功耗为 PD = (TJ (max)–TA) / θJA。在 150°C 的绝对最大 TJ 下运行可能会影响可靠性。