ZHCSY05B June 1999 – January 2026 INA133 , INA2133
PRODUCTION DATA
测试条件:TA = +25°C,VS = ±15V,RL = 10kΩ 接公共端,VREF = 0V,且适用于所有芯片产地 (CSO),除非另有说明。
图 5-1 增益与频率间的关系
图 5-3 电源抑制与频率间的关系
图 5-5 输入共模电压与输出电压间的关系| CSO:RFB |
| CSO:RFB |
图 5-11 静态电流与温度间的关系
| CSO:SHE |
| CSO:RFB |
图 5-17 VS = ±15V 时偏移电压产生分布
图 5-19 VS =±15V 时偏移电压漂移产生分布
图 5-21 小信号过冲与负载电容间的关系
图 5-23 小信号阶跃响应| CSO:RFB |
图 5-2 共模抑制与频率间的关系
图 5-4 通道隔离与频率间的关系
| CSO:SHE |

| CSO:SHE |
图 5-10 0.1Hz 至10Hz 峰值间电压噪声
| CSO:SHE |

| CSO:SHE |
| CSO:RFB |
图 5-18 VS = ±5V 时偏移电压产生分布
图 5-20 VS =±5V 时偏移电压漂移产生分布
图 5-22 稳定时间与负载电容间的关系
| CSO:SHE |
图 5-26 最大输出电压与频率间的关系