ZHCSXI6 December   2024 ESD801-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4引脚配置和功能
  6. 5规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - AEC 规格
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 支持资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 术语表
  8. 7修订历史记录
  9. 8机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.6 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VRWM 反向关断电压 IIO < 10nA -36 36 V
ILEAK VRWM 下的漏电流 VIO = ±36V，I/O 至 GND 1 10 nA
VBR 击穿电压，I/O 至 GND (1) IIO = ±10mA 37.8 44.2 V
VCLAMP 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (2) IPP = 3A，I/O 至 GND 61 V
IPP = 3A，GND 至 I/O 61 V
TLP 钳位电压，tp = 100ns(3) IPP = ±16A (100ns TLP)，I/O 至 GND 67 V
RDYN 动态电阻 (4) I/O 至 GND 1.05 Ω
GND 至 I/O 1.05
CLINE 输入电容，IO 至 GND VIO = 0V，f = 1MHz 0.3 0.5 pF
(1) VBR 是指在器件进入快速复位状态之前，在逐步升高电压期间，在 1mA 时获得的电压
(2) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力
(3) 非重复方波电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；ANSI/ESD STM5.5.1-2008
(4) 在 I = 10A 和 I = 20A 之间使用 TLP 特性的最小二乘拟合来提取 RDYN