ZHCSHJ5 December   2018 DRV5021

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用电路原理图
      2.      磁响应
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Magnetic Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Field Direction Definition
      2. 7.3.2 Device Output
      3. 7.3.3 Power-On Time
      4. 7.3.4 Hall Element Location
      5. 7.3.5 Propagation Delay
      6. 7.3.6 Output Stage
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Proximity Sensing Circuit
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 8.2.1.2.1 Configuration Example
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 Alternative Two-Wire Application
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

DRV5021 是一款低电压数字开关霍尔效应传感器，适用于高速 应用。该器件由 2.5V 至 5.5V 的电源供电，可以检测磁通量密度并根据预定义的磁性阈值提供数字输出。

该器件会检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通量密度超过磁运行点 BOP 阈值时，器件的漏极开路输出将驱动低电压。当磁通量密度降至磁释放点 (BRP) 阈值时，输出会变为高阻抗。BOP 和 BRP 的分离所产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使得系统设计能够更加稳健地抵抗噪声干扰。

该器件可在 –40°C 至 +125°C 的宽环境温度范围内保持稳定的优异性能。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
DRV5021 SOT-23 (3) 2.90mm x 1.30mm
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。