ZHCSDO8B May 2015 – February 2022 CSD25484F4
PRODUCTION DATA
3 说明
该 80mΩ、-20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
图 3-1 典型封装尺寸产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 1090 | pC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅漏极） | 150 | pC | |
| RDS(on) | 漏源 导通电阻 | VGS = –1.8V | 405 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 150 | |||
| VGS = –4.5V | 93 | |||
| VGS = -8.0V | 80 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.95 | V | |
器件信息
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装(1) | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25484F4 | 3000 | 7 英寸卷带 | Femto (0402) 1.00mm × 0.60mm 基板栅格阵列 (LGA) | 卷带包装 |
| CSD25484F4T | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | –12 | V |
| ID | 持续漏极电流(1) | -2.5 | A |
| IDM | 脉冲漏极电流(1)(2) | –22 | A |
| IG | 持续栅极钳位电流 | -35 | mA |
| 脉冲栅极钳位电流(2) | -350 | ||
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人体放电模式 (HBM) | 4 | kV |
| 充电器件模型 (CDM) | 2 | ||
| TJ、 Tstg | 工作结温， 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
(1) 典型 RθJA = 85°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、
0.071mm 厚的铜焊盘时）。
0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
图 3-2 顶视图