ZHCSDI2C September   2014  – May 2025 CSD19535KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4规格
    1. 4.1 电气特性
    2. 4.2 热性能信息
    3. 4.3 典型 MOSFET 特性
  6. 5器件和文档支持
    1. 5.1 第三方产品免责声明
    2. 5.2 接收文档更新通知
    3. 5.3 支持资源
    4. 5.4 商标
    5. 5.5 静电放电警告
    6. 5.6 术语表
  7. 6修订历史记录
  8. 7机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 100V、2.8mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19535KTT 引脚排列 引脚排列

产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 75 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 11 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 3.2 mΩ
VGS = 10V 2.8
VGS(th) 阈值电压 2.7 V
器件信息(1)
器件 数量 介质 封装 运输
CSD19535KTT 500 13 英寸卷带 D2PAK 塑料封装 卷带包装
CSD19535KTTT 50
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 200 A
持续漏极电流（受器件限制），
TC = 25°C		 197
持续漏极电流（受器件限制），
TC = 100°C		 139
IDM 脉冲漏极电流(1) 400 A
PD 功率耗散，TC = 25°C 300 W
TJ，
Tstg		 工作结温，
贮存温度		 -55 至 175 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 95A，L = 0.1mH		 451 mJ
(1) 最大 RθJC = 0.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

CSD19535KTT RDS(on) 与 VGS 之间的关系 RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19535KTT 栅极电荷 栅极电荷